[发明专利]带隙基准电路、芯片、带隙基准电压源及电子设备在审

专利信息
申请号: 202211570869.0 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN115756065A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 钱智明 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 汤金燕
地址: 201100 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基准 电路 芯片 电压 电子设备
【权利要求书】:

1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括:

钳位单元,用于对电压钳位点进行电压钳位,输出钳位电压;

基准电压输出单元,与所述钳位单元连接,用于接收所述钳位电压,输出对应的带隙基准电压。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述钳位单元包括:

运算放大子单元,与所述基准电压输出单元连接,用于对所述电压钳位点进行钳位,向所述基准电压输出单元输出所述钳位电压。

3.根据权利要求1-2中任一所述的带隙基准电路,其特征在于,还包括:

反馈补偿单元,分别与所述钳位单元和所述基准电压输出单元连接,用于对所述钳位单元和所述基准电压输出单元进行补偿;

偏置单元,分别与所述钳位单元和所述基准电压输出单元连接,用于向所述钳位单元提供偏置电压。

4.根据权利要求3所述的带隙基准电路,其特征在于,还包括:

启动单元,分别与所述钳位单元和所述偏置单元连接,用于启动所述运算放大子单元,通过所述反馈补偿单元启动所述基准电压输出单元和所述偏置单元。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电路,其特征在于,所述启动单元包括:

控制子单元,用于接收由控制端发送的使能信号,输出使能控制信号;

启动子单元,分别与所述控制子单元、所述钳位单元及所述偏置单元连接,用于获取所述使能控制信号,根据所述使能控制信号向所述钳位单元输入启动电流,和向所述偏置单元拷贝所述偏置单元的偏置电流。

6.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电压输出单元包括:第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第五电阻;

所述第一三极管的第一端与所述第二三极管的第一端连接,所述第一三极管的第二端分别与所述第一电阻的第一端、所述第二三极管的第三端及所述钳位单元连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第三电阻的第一端、第一三极管的第三端和第二电阻的第二端连接;所述第二三极管的第二端分别与所述第二电阻的第一端和所述钳位单元连接;

所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接,所述第四电阻的第二端用于输出带隙基准电压,所述第五电阻的第一端分别与所述第一三极管的第一端和所述第二三极管的第二端连接,所述第五电阻的第二端接地。

7.根据权利要求2所述的带隙基准电路,其特征在于,所述运算放大子单元包括:第三三极管、第四三极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管;

所述第三三极管的第一端和第四三极管的第一端均接地,所述第三三极管的第二端和第四三极管的第二端均与所述基准电压输出单元连接,所述第三三极管的第三端与所述第一MOS管的第一端连接,所述第一MOS管的第二端分别与所述第二MOS管的第二端和所述基准电压输出单元连接,所述第一MOS管的第三端分别与所述第三MOS管的第一端、所述第三MOS管的第二端和所述第四MOS管的第二端连接;所述第四三极管的第三端与所述第二MOS管的第一端连接,所述第二MOS管的第三端与所述第四MOS管的第一端连接,所述第三MOS管的第三端和所述第四MOS管的第三端均接电源。

8.根据权利要求3所述的带隙基准电路,其特征在于,所述反馈补偿单元包括:第一储能元件、第二储能元件、第六电阻及第八MOS管;

所述第一储能元件的第一端分别与所述基准电压输出单元和所述第八MOS管的第一端连接;所述第一储能元件的第二端分别与所述基准电压输出单元和所述钳位单元连接;所述第八MOS管的第二端分别与所述钳位单元和所述第一电阻的第一端连接,所述第八MOS管的第三端接电源;所述第六电阻的第二端与所述第二储能元件的第一端连接,所述第二储能元件的第二端分别与所述第一储能元件的第二端、所述基准电压输出单元和所述钳位单元连接。

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