[发明专利]一种开关电源的供电装置及开关电源在审
申请号: | 202211564668.X | 申请日: | 2022-12-07 |
公开(公告)号: | CN115765482A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 宗强;方芳;刘准;汪虎 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯茂微电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/00;H02J7/00;H02M1/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑 |
地址: | 518024 广东省深圳市罗湖区清水*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关电源 供电 装置 | ||
1.一种开关电源的供电装置,其特征在于,所述开关电源包括控制芯片和变压器,所述供电装置包括:
供电电容,所述供电电容的第二端接地;
构成所述变压器的原边开关的充电开关,所述充电开关包括N沟道耗尽型的场效应管和N沟道增强型的场效应管;
所述N沟道耗尽型的场效应管处于常通态且漏极与所述变压器的原边绕组的一端连接,栅极接地,源极与所述N沟道增强型的场效应管的漏极连接,所述原边绕组的另一端与交流电源连接;
所述N沟道增强型的场效应管,栅极与所述控制芯片的控制端连接,源极接地,用于在充电模块导通时关断,当所述充电模块关断时基于所述控制芯片的控制信号导通或者关断,以使所述开关电源处于正常工作阶段;
所述充电模块,第一端分别与所述N沟道耗尽型的场效应管的源极和所述N沟道增强型的场效应管的漏极连接,第二端分别与所述供电电容的第一端和所述控制芯片的电源端连接,用于当所述控制芯片处于启动阶段或者,处于正常工作阶段且所述控制芯片的电源端的电压低于阈值电压时导通,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时关断。
2.如权利要求1所述的开关电源的供电装置,其特征在于,所述充电模块包括:
第一全控型器件,第一端与限流模块的第二端连接,第二端分别与所述供电电容的第一端和所述控制芯片的电源端连接,控制端与所述控制芯片内的驱动模块连接,用于当所述控制芯片处于启动阶段或者,处于正常工作阶段且所述控制芯片的电源端的电压低于阈值电压时导通,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时关断;
所述限流模块,第一端与所述N沟道耗尽型的场效应管的源极连接。
3.如权利要求1所述的开关电源的供电装置,其特征在于,还包括:
单向导通模块,正向端与所述充电模块的第二端连接,反向端分别与所述供电电容的第一端和所述控制芯片的电源端连接。
4.如权利要求3所述的开关电源的供电装置,其特征在于,所述单向导通模块为二极管,所述二极管的正极作为所述单向导通模块的正向端,所述二极管的负极作为所述单向导通模块的反向端。
5.如权利要求1所述的开关电源的供电装置,其特征在于,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时关断,包括:
当所述控制芯片在启动阶段时的电源端的电压达到启动电压时关断,所述启动电压大于所述阈值电压。
6.如权利要求1所述的开关电源的供电装置,其特征在于,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时关断,包括:
当所述控制芯片在正常工作阶段时的电源端的电压达到阈值电压时关断。
7.如权利要求1所述的开关电源的供电装置,其特征在于,所述N沟道耗尽型的场效应管为N沟道耗尽型的氮化镓场效应管。
8.如权利要求1至7任一项所述的开关电源的供电装置,其特征在于,还包括:
控制模块,第一端与所述N沟道耗尽型的场效应管的栅极连接,第二端与所述N沟道耗尽型的场效应管的源极连接,用于当所述控制芯片处于启动阶段或者,处于正常工作阶段且所述控制芯片的电源端的电压低于阈值电压时导通,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时关断;
第二全控型器件,第一端与所述N沟道耗尽型的场效应管的栅极连接,第二端接地,控制端与所述控制芯片内的驱动模块连接,用于当所述控制芯片处于启动阶段或者,处于正常工作阶段且所述控制芯片的电源端的电压低于阈值电压时关断,当所述控制芯片的电源端的电压满足正常工作条件时导通。
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