[发明专利]背接触太阳能电池片、电池分片、光伏组件和串焊方法在审
申请号: | 202211552101.0 | 申请日: | 2022-12-05 |
公开(公告)号: | CN115863454A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 张舒;楚海元;丁忆;柳伟 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B23K37/00;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 电池 分片 组件 方法 | ||
本申请提供一种背接触太阳能电池片、电池分片、光伏组件和串焊方法。该太阳能电池片包括:基板,包括三个基板分部,该三个基板分部沿第一方向相邻排列;设置在每个基板分部背光面的总数为偶数根的正极主栅和负极主栅,正极主栅和负极主栅沿第一方向延伸,且沿第二方向交替排列,位于每个基板分部上的每根正极主栅的延伸线与位于相邻基板分部上的一根负极主栅的延伸线重合,且位于每个基板分部上的每根负极主栅的延伸线与位于相邻基板分部上的一根正极主栅的延伸线重合。本申请的太阳能电池片上的正极主栅和负极主栅的总数为偶数,在对整片电池片进行串焊时,仅需将相邻两个整片电池片中的一个进行旋转,无需对准操作,节省了工艺步骤。
技术领域
本申请主要涉及光伏技术领域,具体地涉及一种背接触太阳能电池片、电池分片、光伏组件和串焊方法。
背景技术
背接触太阳电池(Interdigitated back contact,IBC),简称“IBC电池”,是一种正负电极都在电池背光面的太阳能电池。背接触太阳电池可以减少电极对电池片受光面的遮挡,提高电池片的能量转化效率。
目前的背接触太阳能电池片中,整片的电池片背面可以包含多条平行、间隔分布的正极主栅和负极主栅,在将多个电池片串焊为光伏组件的过程中,需要将整片电池片切割成多个电池分片,并对电池分片和整片电池片的位置进行调整,使得相邻的两个电池分片中的一个电池分片的正极主栅的延伸线与另一个电池分片的负极主栅的延伸线重合,从而可以利用焊带将相邻的两个电池分片中的正极主栅和负极主栅导通。在将电池分片串联成光伏组件的过程中需要对电池片和电池分片的位置进行调整,增加了光伏组件的生产步骤,导致生产效率降低。
此外,传统技术中的背接触太阳能电池片多为整片或两分片,在使用焊带串焊电池片的过程中,电池片和焊带会经历受热膨胀和冷却收缩,由于焊带的热膨胀系数远高于电池片,在焊接后的冷却过程中,焊带和电池片的收缩量不同,这导致电池片产生朝向焊带方向的翘曲。电池片的翘曲会导致对串长控制难度的增加、电池串在流转过程中出现破片和隐裂,以及在层压过程中出现破片和隐裂的风险。
所以,如何减少光伏组件的生产步骤,提高生产效率,并降低电池片在串焊过程出现的翘曲是亟待解决的问题。
发明内容
本申请要解决的技术问题是提供一种背接触太阳能电池片、电池分片、光伏组件和串焊方法,该电池片、电池分片和串焊方法能够减少制备光伏组件的步骤,提高生产效率,该光伏组件所需的制造步骤少,生产效率高,同时能够降低电池片在串焊过程中出现的翘曲。
本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种背接触太阳能电池片,包括:基板,包括三个基板分部,所述三个基板分部沿第一方向相邻排列;以及设置在每个所述基板分部背光面的总数为偶数根的正极主栅和负极主栅,所述正极主栅和所述负极主栅沿所述第一方向延伸,且沿第二方向交替排列,其中,位于每个所述基板分部上的每根所述正极主栅的延伸线与位于相邻基板分部上的一根所述负极主栅的延伸线重合,且位于每个所述基板分部上的每根所述负极主栅的延伸线与位于相邻基板分部上的一根所述正极主栅的延伸线重合。
在一实施例中还包括:多行正极连接点和多行负极连接点,每行的正极连接点沿所述第一方向间隔排列在对应的所述正极主栅上,且每行的负极连接点沿所述第一方向间隔排列在对应的所述负极主栅上。
在一实施例中,所述正极主栅和所述负极主栅的总数为4根、6根、8根、10根、12根、14根、16根、18根、20根、22根或24根,所述负极主栅的数量与所述正极主栅的数量相同。
本申请为解决上述技术问题还提出一种背接触太阳能电池分片,包括:将如前文所述的太阳能电池片沿相邻基板分部之间的分割线分割后得到的三个电池分片,其中,所述三个电池分片与所述三个基板分部相对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的