[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件

说明书

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、掺杂导电层、本征多晶硅层、增强导电部和第一电极。基底具有第一表面；隧穿氧化层覆盖于第一表面；掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面；本征多晶硅层设置于掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面；增强导电部覆盖于本征多晶硅层远离掺杂导电层的一侧表面，至少部分的增强导电部与掺杂导电层相连接；多个第一电极设置于所述增强导电部远离本征多晶硅层的一侧，每个第一电极的至少部分位于增强导电部内，以通过增强导电部与掺杂导电层电连接。载流子能够直接通过增强导电部在掺杂导电层与第一电极之间传输，增强载流子的传输能力，提高了太阳能电池的电池效率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术

太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。现有技术中，太阳能电池的电极与掺杂导电层之间的电连接不够可靠，载流子在二者之间的传输不畅，影响了太阳能电池的光电转化效率。

发明内容

本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转换效率。

本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

基底，所述基底具有第一表面；

隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；

掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；

本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；

增强导电部，所述增强导电部覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面，至少部分的所述增强导电部与所述掺杂导电层相连接；

第一电极，多个所述第一电极设置于所述增强导电部远离所述本征多晶硅层的一侧，每个所述第一电极的至少部分位于所述增强导电部内，以通过所述增强导电部与所述掺杂导电层电连接。

在一种可能的设计中，所述增强导电部包括相连接的增强导电膜和增强导电桩，所述增强导电膜覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面；沿所述太阳能电池的厚度方向，所述增强导电桩的两端分别与所述掺杂导电层和所述增强导电膜相连接。

在一种可能的设计中，所述增强导电膜的电导率和所述增强导电桩的电导率均大于所述掺杂导电层的电导率。

在一种可能的设计中，所述增强导电膜的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。

在一种可能的设计中，所述增强导电膜的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。

在一种可能的设计中，所述增强导电桩的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。

在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层覆盖于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。

在一种可能的设计中，所述增强导电桩形成于所述本征多晶硅层内；所述增强导电桩贯穿所述本征多晶硅层，以与所述掺杂导电层和所述增强导电膜连接。

在一种可能的设计中，所述掺杂导电层与所述增强导电膜具有相同导电类型的掺杂元素，且所述增强导电膜的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度；所述增强导电膜中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层的方向渗透，以形成所述增强导电桩。

在一种可能的设计中，所述掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为1×10¹⁸atoms/cm³～5×10²¹atoms/cm³。