[发明专利]X射线成像设备在审
| 申请号： | 202211540198.3 | 申请日： | 2022-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN116223536A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·坦普勒;罗伊克·韦尔热;埃里克·格罗斯达隆;塞巴斯蒂安·贝克尔 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;A61B6/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射线 成像 设备 | ||
1.一种X射线成像设备，包括：
-包括电连接元件的转移基板(100)；
-像素阵列，每个像素阵列包括结合并电连接到所述转移基板(100)的电连接元件的单片基础芯片(153)，以及电连接到所述基础芯片(153)的直接转换X光子检测器(XD)，
其中，在每个像素中，所述基础芯片(153)包括用于从所述像素的所述检测器(XD)读取的集成电路。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，在每个基础芯片(153)中，用于从所述像素的所述检测器(XD)读取的所述集成电路以CMOS技术形成。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，在每个像素中，所述检测器(XD)包括基于适于将X光子直接转换成电荷的半导体材料的有源检测堆叠(103)，所述半导体材料例如来自包括非晶硒(a:Se)、砷化镓(GaAs)、碘化汞(HgI2)、氧化铅(PbO)、碲化镉锌(Cd(Zn)Te)或钙钛矿材料的组的材料。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述有源检测堆叠(103)在所述像素阵列的整个表面上连续延伸。
5.根据权利要求3所述的设备，其中，在每个像素中，所述检测器(XD)包括下电极(E1)和上电极(E2)，所述上电极(E2)是所述设备的所有像素共用的，并且所述下电极(E1)是每个像素独有的。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，在每个像素中，所述检测器(XD)覆盖所述像素的所述基础芯片(153)。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，在每个像素中，所述像素的所述基础芯片(153)包括无机LED(501)和用于控制所述LED的集成电路(503)。
8.一种组件，其包括根据权利要求1所述的第一堆叠的X射线成像设备和第二堆叠的X射线成像设备。
9.根据权利要求8所述的组件，包括在所述第一设备和第二设备之间的过滤层(510)。
10.根据权利要求1所述的制造X射线成像设备的方法，其中，所述基础芯片(153)通过临时支撑基板(140)被集体转移并结合到所述转移基板(100)。
11.根据权利要求8所述的方法，包括在将所述基础芯片(153)转移和结合到所述转移基板(100)上之后沉积平面化层(170)的步骤。
12.根据权利要求9所述的方法，包括将所述检测器(XD)转移到所述平面化层(170)的上表面上的步骤。
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