[发明专利]建立LDMOS管等效电路的方法

说明书

一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种建立LDMOS管等效电路的方法。

背景技术

中国公开号为CN105160141B的专利文献公开了一种超高压场效应管子电路模型建模方法，如图1所示，左侧是LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)管的原等效电路,所述LDMOS管包括：第一漏极D和第一源极S。

所述原等效电路包括：等效MOS管M1、漏极寄生电阻R1和源极寄生电阻R2。所述漏极寄生电阻R1的第一端连接所述第一漏极D，所述漏极寄生电阻R1的第二端连接所述等效MOS管M1的漏极。所述源极寄生电阻R2的第一端连接所述等效MOS管M1的源极，所述源极寄生电阻R2的第二端连接所述第一源极S。

为便于理解漏极寄生电阻R1阻值r1的计算过程，在图1右侧虚框内，搭建了电路模型，包括串联的电压控制电压源ec1f和电阻Rnvd。电阻Rnvd的一端连接电压控制电压源ec1f，另一端接地。其中，电压控制电压源ec1f的电压数值随第一漏极D和第一源极S之间的电压Vds变化。具体如下：

r1＝rds*(1.0+vr1*v(nvd,0)+vr2*v(nvd,0)*v(nvd,0))*(1+vv1*abs(v(d,s)))

v(nvd,0)＝'deltaV1-(deltaV2/(ec1/(abs(v(d,s)**a))+ec2*(abs(v(d,s))**b))**exp)'

其中，v(d,s)为电压Vds的电压值，rds为漏极寄生电阻R1的电阻估值，vr1、vr2为调节电流电压准饱和区幅度的修正系数，vv1为电压人为修正系数，deltaV1、deltaV2、ec1、ec2为数学修正系数，a、b、exp为指数修正系数。

上述专利文献将v(nvd,0)引入漏极寄生电阻R1阻值r1的表达式中，同时添加vr1、vr2来调节IDVD(LDMOS器件测试的常规曲线，指在第一漏极D施加电压并测试第一漏极D端的电流)修正系数，通过对所有系数的调整，可以很好的实现LDMOS在500V的条件下模型的连续性和物理延展性。

然而，依据上述专利文献建立的等效电路，在过渡区(线性区到准饱和区之间)的输出特性同实际数据较难拟合，即模拟获得的数据与实际物理数据不相符。

发明内容

本发明解决的问题是：依据现有LDMOS管等效电路模拟获得的数据与实际物理数据不相符。

为解决上述问题，本发明提供一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极。建立LDMOS管等效电路的方法包括：建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：