[发明专利]建立LDMOS管等效电路的方法在审
| 申请号： | 202211531567.2 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115935871A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 建立 ldmos 等效电路 方法 | ||
1.一种建立LDMOS管等效电路的方法，所述LDMOS管包括：第一漏极和第一源极，其特征在于，包括：
建立原等效电路，所述原等效电路包括：等效MOS管、漏极寄生电阻和源极寄生电阻，所述等效MOS管包括：第二漏极和第二源极；
所述漏极寄生电阻的第一端连接所述第一漏极，所述漏极寄生电阻的第二端连接所述第二漏极，所述源极寄生电阻的第一端连接所述第二源极，所述源极寄生电阻的第二端连接所述第一源极；
将所述漏极寄生电阻的阻值修正为与第一修正值和第二修正值相关，所述第一修正值与所述第一漏极到所述第一源极之间的电压相关，所述第二修正值与所述第二漏极到所述第一源极之间的电压相关。
2.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述漏极寄生电阻的阻值与所述第一修正值和第二修正值的差值相关。
3.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第一修正值含有用于拟合第一区域的参数，所述第一区域包括过渡区和准饱和区。
4.如权利要求3所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第一修正值还含有用于拟合准饱和区的参数。
5.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第二修正值含有用于拟合过渡区的参数。
6.如权利要求1所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述漏极寄生电阻的阻值r11＝rds*(1+v(nvd,0)-v(nvd1,0))；
其中，rds为所述漏极寄生电阻的估值，v(nvd,0)为所述第一修正值，v(nvd1,0)为所述第二修正值。
7.如权利要求6所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第二修正值v(nvd1,0)＝’ec2*abs(v(d1,s))’；
其中，ec2为数学修正系数，用于拟合过渡区的参数；v(d1,s)为所述第二漏极到所述第一源极之间电压的电压值。
8.如权利要求7所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，所述第一修正值v(nvd,0)＝’ec1*abs(v(d,s)**exp)’；
其中，ec1为数学修正系数，用于拟合第一区域的参数，所述第一区域包括过渡区和准饱和区；v(d,s)为所述第一漏极到所述第一源极之间电压的电压值；exp为指数修正系数，用于拟合准饱和区的参数。
9.如权利要求8所述的建立LDMOS管等效电路的方法，其特征在于，还包括：
对比LDMOS管的实测数据和LDMOS管等效电路的仿真结果，以调整所述参数ec1、ec2和exp，从而获得拟合结果。
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