[发明专利]一种含砷废水的处理系统及方法在审

专利信息
申请号: 202211518378.1 申请日: 2022-11-30
公开(公告)号: CN116081857A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 何丹;胡恒广;闫冬成;朱国发 申请(专利权)人: 河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司
主分类号: C02F9/00 分类号: C02F9/00;C02F1/00;C02F1/78;C02F1/52;C02F1/56;C02F1/28;C02F101/10
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 党娟萍;刘铁生
地址: 050000 河北*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 废水 处理 系统 方法
【说明书】:

本公开提供一种含砷废水的处理系统及方法。含砷废水的处理系统包括:过滤装置、氧化装置、沉淀装置和净化装置,过滤装置用于过滤进入过滤装置内的含砷废水中的杂质,氧化装置与过滤装置连接,氧化装置用于使过滤装置过滤后的废水在氧化装置内与臭氧发生氧化反应,沉淀装置与氧化装置连接,沉淀装置用于使氧化装置氧化后的废水在沉淀装置内与化学药剂进行化学反应并生成沉淀物,净化装置与沉淀装置连接,净化装置用于对沉淀装置中的上清液进行净化处理,净化装置设置有排放口和回流口,回流口与过滤装置连接。

技术领域

本公开涉及废水处理技术领域,尤其涉及一种含砷废水的处理系统及方法。

背景技术

在制作芯片的过程中会产生大量的含砷废水,而砷具有很强的毒性(如:致癌、致畸、致突变等毒性),若直接排放将会造成水污染,而且砷的毒性对人体的危害也极大,比如:砷在人体内累积会导致一系列的心脑血管类疾病、呼吸类疾病等,严重者可能导致死亡。

为此,亟需提供一种含砷废水的处理系统及方法。

发明内容

本公开提供一种含砷废水的处理系统及方法,其所要解决的一个技术问题是:对含砷废水进行处理,以减少含砷废水对水污染及对人体伤害的机率。

为解决上述技术问题,本公开实施例提供一种含砷废水的处理系统,包括:过滤装置、氧化装置、沉淀装置和净化装置,过滤装置用于过滤进入过滤装置内的含砷废水中的杂质,氧化装置与过滤装置连接,氧化装置用于使过滤装置过滤后的废水在氧化装置内与臭氧发生氧化反应,沉淀装置与氧化装置连接,沉淀装置用于使氧化装置氧化后的废水在沉淀装置内与化学药剂进行化学反应并生成沉淀物,净化装置与沉淀装置连接,净化装置用于对沉淀装置中的上清液进行净化处理,净化装置设置有排放口和回流口,回流口与过滤装置连接。

在一些实施例中,过滤装置包括:过滤仓和过滤结构,过滤结构设置在过滤仓内,过滤结构与过滤仓的内底壁和内顶壁之间分别具有第一空间和第二空间,过滤仓对应第一空间和第二空间的仓壁分别开设有第一进口和第一出口,第一进口用于进入含砷废水,第一出口与氧化装置的内部连通。

在一些实施例中,过滤装置还包括:第一冲洗管,第一冲洗管自过滤仓的外侧穿过过滤仓并伸入过滤结构中,且第一冲洗管对应过滤结构的部分设置有多个第一出水孔;其中,过滤仓的底部开设有第一排污口。

在一些实施例中,氧化装置包括:氧化仓和臭氧散发器,氧化仓设置有与过滤装置连接的第二进口和与沉淀装置连接的第二出口,臭氧散发器设置在氧化仓内,臭氧散发器设置有连通臭氧散发器内部和氧化仓内部的散发孔,且臭氧散发器和氧化仓开设有连通臭氧散发器内部和氧化仓外部的通道。

在一些实施例中,氧化仓内设置有多个第一引流板和多个第二引流板,第一引流板与氧化仓的内顶壁连接并与氧化仓的内底壁间隔开,第二引流板与氧化仓的内底壁连接并与氧化仓的内顶壁间隔开,且多个第一引流板和多个第二引流板交错设置;和/或,通道对应氧化仓外部的开口连接有臭氧发生器。

在一些实施例中,沉淀装置包括:沉淀仓,沉淀仓内包括:第一部分和第二部分,第一部分设置有与氧化装置连接的第三进口,第一部分的上端设置有加药口,第二部分内设置有隔淀结构,隔淀结构与第二部分的内底壁和内顶壁之间分别具有第三空间和第四空间,第三空间与第一部分连通,第二部分对应第四空间的位置开设有与净化装置连接的第三出口。

在一些实施例中,第二部分内对应隔淀结构的下方设置有第一导向件和第二导向件,第一导向件和第二导向件之间的距离向远离隔淀结构的方向呈逐渐减小的趋势;其中,第二部分的底部对应第一导向件和第二导向件之间的位置开设有第二排污口。

在一些实施例中,第一部分和第二部分之间设置有彼此间隔开的第一隔板和第三引流板,第一隔板与沉淀仓的内底壁连接并与沉淀仓的内顶壁间隔开,第三引流板与沉淀仓的内顶壁连接并与沉淀仓的内底壁间隔开;和/或,隔淀结构包括多个相对竖直方向倾斜的板子。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司,未经河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211518378.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top