[发明专利]一种高压集成电路有效

专利信息
申请号: 202211502756.7 申请日: 2022-11-29
公开(公告)号: CN115529026B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 冯宇翔;左安超;华庆 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: H03K3/3565 分类号: H03K3/3565;H03K5/24;H03K19/0175
代理公司: 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 代理人: 刘羽波
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 集成电路
【说明书】:

发明公开了一种高压集成电路,其包括依次连接的信号输入端、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、温控脉冲电路、高侧驱动电路以及信号输出端;所述温控脉冲电路包括分别与所述电平转换电路的输出端连接的第一单脉冲GEN电路和第二单脉冲GEN电路、连接至所述第一单脉冲GEN电路的第一温控电路以及连接至所述第二单脉冲GEN电路的第二温控电路。本发明可以在高压集成电路的内部温度过高时,将信号输入端输入的信号拉低,以使高压集成电路停止工作,从而避免高压集成电路的温度逐渐升高,最终导致高压集成电路失效的问题。

技术领域

本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种高压集成电路。

背景技术

高压集成电路简称HVIC,是一种把MCU信号转换成驱动IGBT信号的集成电路产品,其把PMOS管、NMOS管、三极管、二极管、稳压管、电阻以及电容等元器件集成在一起,以及形成斯密特、低压LEVELSHIFT(电平转换)、高压LEVELSHIFT、脉冲发生电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路、过热保护电路、欠压保护电路以及自举电路等电路。

现有的HVIC中高侧驱动电路的单脉冲GEN电路,在HIN信号的上升沿和下降沿分别产生脉冲,用于驱动DMOS器件,其脉冲宽度一般在几百纳秒,使HIN与HO对应。

虽然现有的HVIC中高侧驱动电路的单脉冲GEN电路能驱动DMOS器件,但HVIC中并未设置有用于检测电路内部温度的相关电路,这容易由于DMOS器件的长时间导通,而使HVIC的温度逐渐升高,最终导致HVIC失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压集成电路,以解决现有的高压集成电路容易由于DMOS器件的长时间导通,而使高压集成电路的温度逐渐升高,最终导致高压集成电路失效的问题。

为了解决上述问题,本发明提供了一种高压集成电路,其包括依次连接的信号输入端、第一施密特电路、滤波器、电平转换电路、温控脉冲电路、高侧驱动电路以及信号输出端;

所述温控脉冲电路包括分别与所述电平转换电路的输出端连接的第一单脉冲GEN电路和第二单脉冲GEN电路、连接至所述第一单脉冲GEN电路的第一温控电路以及连接至所述第二单脉冲GEN电路的第二温控电路;

所述第一温控电路包括第一场效应管、第一电阻、第二电阻、第一三极管、第二三极管、第三电阻、第一电容、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电压比较器以及第二电压比较器;

所述第一场效应管的漏极连接至供电电压,所述第一电阻的第一端连接至所述场效应管的栅极和源极,所述第二电阻的第一端连接至所述场效应管的栅极和源极;

所述第一三极管的集电极连接至所述第一电阻的第二端,所述第一三极管的基极分别连接至所述第一电阻的第二端和所述第二三极管的基极,所述第一三极管的发射极接地;

所述第二三极管集电极连接至第二电阻的第二端,所述第三电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极,所述第三电阻的第二端连接至所述第一三极管的发射极;

所述第一电容的第一端连接至所述第二电阻的第二端,所述第一电容的第二端连接至所述第三电阻的第二端;

所述第四电阻的第一端连接至所述第一场效应管的漏极,所述第五电阻的第一端连接至所述第四电阻的第二端,所述第五电阻的第二端连接至所述第一电容的第二端;

所述第六电阻的第一端连接至所述第四电阻的第一端,所述第七电阻的第一端连接至所述第六电阻的第二端,所述第七电阻的第二端连接至所述第五电阻的第二端;

所述第一电压比较器的正相输入端连接至所述第一电容的第一端,所述第一电压比较器的负相输入端连接至所述第六电阻的第二端,所述第一电压比较器的输出端连接至所述信号输入端;

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