[发明专利]大端子薄膜电容器的焊接方法、工装、焊片及生产方法有效
申请号: | 202211479049.0 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN115533235B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 邱林俊;高秀华;董晓聪;王勇平;邱昊;王玉波;王永桂 | 申请(专利权)人: | 成都宏明电子股份有限公司 |
主分类号: | B23K1/00 | 分类号: | B23K1/00;B23K1/005;B23K1/008;B23K1/20;B23K3/04;B23K3/08 |
代理公司: | 成都华辰智合知识产权代理有限公司 51302 | 代理人: | 李扬 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 端子 薄膜 电容器 焊接 方法 工装 生产 | ||
1.一种大端子薄膜电容器的焊接方法,所述大端子薄膜电容器包括电容器芯子和大引出端子,所述大引出端子的一端设有向外周方向凸起的焊接盘,两个所述大引出端子的焊接盘分别与所述电容器芯子的两端焊接连接,其特征在于:所述大端子薄膜电容器的焊接方法包括以下步骤:
步骤1、准备焊片和焊接工装,所述焊片能够在点火时发生化学反应产生高温并熔化,所述焊片的外径与所述大引出端子的焊接盘的外径和所述电容器芯子的外径一致,所述焊片包括锡片,所述锡片的两侧分别设有化学反应层,所述化学反应层包括互间隔重叠排列的铝层和镍层,所述焊接工装能够将所述大引出端子的焊接盘与所述电容器芯子对应压紧并设有点火器;
步骤2、将一个所述大引出端子、所述电容器芯子和一个所述焊片安装在所述焊接工装上,所述焊片位于该大引出端子的焊接盘与所述电容器芯子的一端之间,对该大引出端子的焊接盘施压使该大引出端子的焊接盘、该焊片和所述电容器芯子之间相互紧密接触;
步骤3、用点火器对该焊片点火,使该焊片发生急速化学反应并产生高温使所述焊片熔化;
步骤4、冷却后完成一个所述大引出端子的焊接盘与所述电容器芯子的一端之间的焊接,然后重新将另一个所述大引出端子、所述电容器芯子和另一个所述焊片安装在所述焊接工装上,重复步骤2和步骤3,冷却后完成大端子薄膜电容器的焊接。
2.根据权利要求1所述的大端子薄膜电容器的焊接方法,其特征在于:所述点火器为激光点火器,所述大引出端子的焊接盘的圆周边缘设有一个用于点火的点火缺口。
3.一种如权利要求1或2所述的大端子薄膜电容器的焊接方法采用的焊接工装,其特征在于:包括工装本体、加压柱、点火器支架和所述点火器,所述工装本体的下部设有上端开口、下端封闭的安装沉孔,所述安装沉孔的孔径略大于所述电容器芯子的外径,所述加压柱安装于所述工装本体的上部并能够上下移动,所述加压柱位于所述安装沉孔的正上方,所述点火器支架设于所述工装本体上,所述点火器设于所述点火器支架上并位于所述安装沉孔边缘的上方。
4.一种如权利要求1或2所述的大端子薄膜电容器的焊接方法采用的焊片,其特征在于:所述锡片两侧的化学反应层包括相互间隔重叠排列的十层铝层和十层镍层且靠近所述锡片的一层为所述铝层。
5.根据权利要求4所述的大端子薄膜电容器的焊接方法采用的焊片,其特征在于:所述铝层和所述镍层均通过真空环境下的磁控溅射方式设于所述锡片上,所述锡片的厚度为0.4mm,所述铝层的厚度为9μm,所述镍层的厚度为6μm。
6.一种如权利要求4所述的大端子薄膜电容器的焊接方法采用的焊片的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤(1)、准备具有真空腔体的磁控溅射设备、初始锡片、铝靶材和镍靶材,其中,所述真空腔体的上部能够安装两个靶材,所述真空腔体内的下部设有可旋转的样品架;
步骤(2)、将所述铝靶材和所述镍靶材分别安装在所述真空腔体的上部,将所述初始锡片清洗后置于所述样品架上,关闭所述真空腔体;
步骤(3)、对所述真空腔体抽真空,待真空度优于10-4Pa,向所述真空腔体内注入氩气,氩气的注入量以使所述真空腔体内的真空度保持在0.4Pa为准;
步骤(4)、将所述初始锡片调整至所述铝靶材的正下方,启动磁控溅射设备,向所述初始锡片溅射铝材料,达到设定的溅射厚度后形成一层铝层,停止溅射;
步骤(5)、将所述初始锡片调整至所述镍靶材的正下方,启动磁控溅射设备,向所述初始锡片上的铝层溅射镍材料,达到设定的溅射厚度后形成一层镍层,停止溅射;
步骤(6)、重复步骤(4)和步骤(5),直到达到所需的所述铝层和所述镍层的层数为止;
步骤(7)、打开所述真空腔体,将一侧溅射铝层和镍层后的初始锡片翻面,关闭所述真空腔体,然后重复步骤(3)-步骤(6),得到初始焊片;
步骤(8)、打开所述真空腔体,取出溅射完成的多层结构的初始焊片,裁剪成适合焊接的形状,得到焊片成品,完成焊片生产。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都宏明电子股份有限公司,未经成都宏明电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211479049.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。