[发明专利]一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法

说明书

本发明涉及一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，包括以下主要步骤：将表面附着ITO残留物的的承烧垫片放入真空炉中高温1550～1650℃加热，并保持一定的真空度；然后降至1300～1400℃，通空气或氧气保温，然后再一次加热至高温1550～1650℃，并保持一定真空度；保温结束，降至室温清洁完成。本发明采用高温烧结垫片，通过高温去除垫片上的ITO残留物，清洁效果良好，与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，适合大批量清洁的优点。

技术领域

本发明涉及陶瓷靶材烧结窑具清洁领域，尤其涉及一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法。

背景技术

氧化铟锡（ITO）靶材，是一种用于磁控溅射镀膜的靶材材料，用于镀制透明导电的ITO膜，广泛应用于显示屏、触摸屏、太阳能电池等领域。

ITO靶材的纯度要求99.99%以上。所以在烧结窑内烧结时，需要用高纯的垫片支撑，避免其直接与承烧板接触。

ITO靶材的烧结温度通常在1550℃以上。长时间的烧结，垫片上会粘附一层ITO壳层，壳层凹凸不平，厚度不一，会严重影响ITO靶材的平整度，使产品得料率降低。同时，粘附层也会导致垫片与靶材粘接，导致靶材出现表面凹坑，直接导致产品报废。

现有的解决方案是，垫片每次使用完之后，用磨石手工研磨或磨床机械研磨，由于垫片尺寸小，数量大，研磨费工费时，极大的降低了生产效率。而且，研磨量少了，清理不干净；研磨量大了，垫片磨损大，消耗快，成本高。目前急需一种更好的垫片清洁办法。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，该方法采用高温烧结垫片，通过高温分解去除垫片上的ITO残留物，清洁效果良好，与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，适合大批量清洁的优点。

解决上述技术问题的技术方案是：一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法，包括以下步骤：

（1）将表面附着ITO残留物的承烧垫片放入真空炉中；

（2） 将真空炉升温至1550～1650℃，保温4～10小时，保温期间的真空度为-0.09～-0.04MPa；

（3）保温结束后，将炉温降低至1300～1400℃，然后保温1～4小时，保温期间通入空气或氧气，使炉压在50～120Pa之间；

（4）保温结束后，再将炉温升至1550～1650℃，保温4-10小时，保温时，停止通气，并抽真空，保温期间的真空度为-0.09～-0.04MPa；

（5）保温结束后，随炉冷却至室温，取出垫片，即完成垫片ITO残留物的清洁。

所述垫片的材质是氧化铝或氧化锆。

ITO高温易分解气化。本发明采用高温烧结垫片，使垫片上的ITO残留物在高温下分解气化被去除。垫片本体在高温下不会发生熔解，清洁过程垫片无损耗；另外目前使用的垫片尺寸小，可将多个垫片同时放入一个真空炉中进行清洁，清洁效率高。故本发明方法与现有研磨清洁垫片的方式相比，具有垫片无损耗，清洁干净，人力成本低，适合大批量清洁的优点。

下面，结合附图和实施例对本发明之一种清洁ITO靶材承烧垫片的方法的技术特征作进一步的说明。

说明书附图

图1：未清洁前附着有ITO残留物的承烧垫片示意图。

图2：经本发明实施例1所述方法清洁后全部干净的承烧垫片示意图。

图3：经本发明对比例2清洁后部分干净的承烧垫片示意图。

具体实施方式

实施例1：