[发明专利]硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法

说明书

本发明提供一种硬掩模组合物、一种由硬掩模组合物制造的硬掩模层以及一种由硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元，其中，化学式1的定义如本说明书中所描述。[化学式1]

相关申请的交叉参考

本申请要求2022年1月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0004200号的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

公开一种硬掩模组合物、一种包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层以及一种使用硬掩模组合物形成图案的方法。

背景技术

近来，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米尺寸的图案的超精细技术。此类超精细技术主要需要有效的光刻技术。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；曝光且显影所述光刻胶层以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料层。当今，根据待形成的图案的较小尺寸，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光刻胶层之间形成称为硬掩模层的辅助层来提供精细图案。

发明内容

一个实施例提供可有效地应用于硬掩模层的硬掩模组合物。

另一实施例提供包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层。

另一实施例提供使用硬掩模组合物形成图案的方法。

根据实施例的硬掩模组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元。

[化学式1]

在化学式1中，

R¹为群组1的经取代或未经取代的部分中的一者，

R²为经取代或未经取代的C10到C30芳香族烃环或经取代或未经取代的C2到C30杂芳香族烃环，

R³和R⁴各自独立地为经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃环，

R¹到R⁴中的至少一者经羟基取代，

p和q各自独立地为0或1，且

*为连接点。

[群组1]

群组1可为群组1-1。

[群组1-1]

在R²中，经取代或未经取代的芳香族烃环为由群组2中选出的经取代或未经取代的部分中的任一者。

[群组2]

在R³和R⁴中，经取代或未经取代的芳香族烃环为由群组3中选出的经取代或未经取代的部分中的任一者。

[群组3]

在R²中，经取代或未经取代的芳香族烃环可为由群组2-1中选出的经取代或未经取代的部分中的任一者。

[群组2-1]