[发明专利]一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法

权利要求书

1.一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，该复合物材料的制备方法包括以下步骤：

S1、将氮掺杂碳纳米管溶于乙二醇(聚乙二醇)，后加入五氯化钼与有机溶剂生成钼金属有机配物；最佳效果为:聚乙二醇加入替代乙二醇的量，即加入聚乙二醇和乙二醇的总量为15ml，本例中加2ml聚乙二醇200和13ml乙二醇(烧制后所得产物命名为PEG-200-2-C@MoSe₂@NMWCNT)，Mo与聚乙二醇形成钼基金属有机配合物，最后再加入硒；

S2、将溶液超声，能够促使NMWCNT均匀分散，同时使钼金属有机配物均匀吸附于NMWCNT表面，即形成钼金属有机配物@NMWCNT复合物；

S3、取出上述溶液放入陶瓷方舟中，随后转移至含有Ar气氛的管式炉中进行煅烧，升温速率为4～6℃/Min；

S4、在经过超声和煅烧反应后，前驱体分散液中的Mo元素被原位地硒化为MoSe₂，而有机组分原位地转化成碳材料，最终生成C@MoSe₂@NMWCNT纳米复合异质结材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于所述S1中，聚乙二醇不局限于聚乙二醇-200，聚乙二醇-200与乙二醇的溶剂比值为0.1～0.6。

3.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于所述S1中，加入过程中温度为20～30℃。

4.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于所述S1中，五氯化钼的浓度为0.08～0.12mmol mL^-1。

5.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于所述S1中，硒的浓度为0.2～0.4mmol mL^-1。

6.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于所述S1中，硒与五氯化钼的摩尔比为1.5～3：1。

7.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于S1中，NMWCNT的浓度为0.3～0.7mg mL^-1。

8.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于S2中，超声2～4h增强NMWCNT分散效果。

9.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于S3中，所用的保护气氛为氩气，在60～100℃下保持3～5h，然后升温到130～300℃仍保持3～5h，最后升温至煅烧温度为500～1300℃，煅烧时间为4～6h。

10.根据权利要求1所述的一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe₂@NCNT材料的合成方法，其特征在于S4中：所述复合物材料为产物为C@MoSe₂@NMWCNT纳米三层复合异质结材料(MoSe₂围绕NMWCNT生长，同时碳包覆于MoSe₂表面而形成的三层异质结结构)；加2ml聚乙二醇-200会对复合材料的形貌产生明显的作用，分布均匀，可以提供更多活性位点，循环稳定性好(在2A g^-1电流密度下,1100次循环后保持226mA h g^-1的放电比容量；3600次循环后，其为168mA h g^-1)，有利于实现其规模化生产。