[发明专利]自适应控制电路

说明书

本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)的自适应控制电路，包括切换电路、正向二极管接法晶体管、反向二极管接法晶体管和第一延迟电路。切换电路由电源电压供电并耦接至第一节点。反向二极管接法晶体管和正向二极管接法晶体管并联耦接在第一节点和第二节点之间。第一延迟电路耦接于第二节点与接地电压之间。本发明的自适应控制电路不仅提供了可接受的操作速度，而且还保持了足够的读取余量。

技术领域

本发明涉及控制电路，更具体地，涉及静态随机存取存储器(Static RandomAccess Memory，SRAM)的自适应控制电路。

背景技术

在传统设计中，如果SRAM(静态随机存取存储器)的控制电路由可变电源电压供电，则控制电路的相应读取余量(read margin)可能不足。此外，控制电路可能会受到缓慢操作速度的影响。因此，需要提出一种新颖的方案来解决现有技术的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了自适应控制电路用于静态随机存取存储器(SRAM)。

在示例性实施例中，用于SRAM的自适应控制电路包括切换电路、正向二极管接法晶体管、反向二极管接法晶体管和第一延迟电路。切换电路由电源电压供电并耦接至第一节点。反向二极管接法晶体管和正向二极管接法晶体管并联耦接在第一节点和第二节点之间。第一延迟电路耦接于第二节点与接地电压之间。

本发明的自适应控制电路不仅提供了可接受的操作速度，而且还保持了足够的读取余量。

在阅读了在各种附图示出的优选实施例的以下详细描述之后，本发明的这些和其他目的对于本领域普通技术人员无疑将变得显而易见。

附图说明

通过参考附图阅读随后的详细描述和实施例可以更充分地理解本发明，其中：

图1是根据本发明实施例的SRAM的自适应控制电路的示意图。

图2是根据本发明实施例的SRAM的自适应控制电路的电路示意图。

图3是根据本发明实施例的SRAM的自适应控制电路的电路示意图。

图4为本发明实施例的自适应控制电路的电压波形示意图。

图5为本发明实施例的自适应控制电路的读取余量与电源电压的关系示意图。

具体实施方式

在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域一般技术人员应可理解，电子设备制造商可以会用不同的名词来称呼同一组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区别组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及后续的权利要求当中所提及的“包括”是开放式的用语，故应解释成“包括但不限定于”。此外，“耦接”一词在此是包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置电性连接于第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。

图1是根据本发明实施例的SRAM(静态随机存取存储器)的自适应控制电路100的示意图。如图1所示，自适应控制电路100包括切换电路110、正向二极管接法晶体管(forward diode-connected transistor)120、反向(backward)二极管接法晶体管130和第一延迟电路140。切换电路110由电源电压VCC供电，并且耦接到第一节点N1。电源电压VCC是可变的。例如，电源电压VCC的电压电平可以大于或等于0.4V，但不限于此。反向二极管接法晶体管130与正向二极管接法晶体管120并联耦接在第一节点N1和第二节点N2之间。第一延迟电路140耦接在第二节点N2与接地电压VSS之间。例如，接地电压VSS可以具有0V的电压电平。第一延迟电路140可以是电容元件或电阻元件，但不限于此。