[发明专利]自适应控制电路在审
| 申请号： | 202211419209.2 | 申请日： | 2022-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN116266464A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王道平 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 赵赫文 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自适应 控制电路 | ||
1.一种自适应控制电路，用于静态随机存取存储器SRAM，所述自适应控制电路包括：
切换电路，由电源电压供电并耦接至第一节点；
正向二极管接法晶体管；
反向二极管接法晶体管，与所述正向二极管接法晶体管并联耦接在所述第一节点和第二节点之间；以及
第一延迟电路，耦接在所述第二节点与接地电压之间。
2.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，当所述电源电压高于或等于阈值电压时，所述正向二极管接法晶体管被启用。
3.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，所述切换电路包括：
第一晶体管，其中所述第一晶体管具有用于接收时钟电压的控制端、耦接至所述电源电压的第一端以及耦接至所述第一节点的第二端。
4.如权利要求3所述的自适应控制电路，其中，所述第一晶体管由P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET来实现。
5.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，所述正向二极管接法晶体管为第二晶体管，所述第二晶体管具有耦接至所述第一节点的控制端、耦接至所述第二节点的第一端、以及耦接至所述第一节点的第二端。
6.如权利要求5所述的自适应控制电路，其中，所述第二晶体管由N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET来实现。
7.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，所述反向二极管接法晶体管为第三晶体管，所述第三晶体管具有耦接所述第二节点的控制端、耦接所述第一节点的第一端、以及耦接所述第二节点的第二端。
8.如权利要求7所述的自适应控制电路，其中，所述第三晶体管由NMOSFET实现。
9.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，所述第一延迟电路为电容元件或电阻元件。
10.如权利要求1所述的自适应控制电路，其中，所述第一延迟电路包括：
第四晶体管，其中所述第四晶体管具有耦接至所述第二节点的控制端、耦接至所述接地电压的第一端以及耦接至所述接地电压的第二端。
11.如权利要求10所述的自适应控制电路，其中，所述第四晶体管由NMOSFET实现。
12.如权利要求3所述的自适应控制电路，其中，所述切换电路还包括：
第五晶体管，其中所述第五晶体管具有用于接收所述时钟电压的控制端、耦接至所述接地电压的第一端以及耦接所述第一节点的第二端。
13.如权利要求12所述的自适应控制电路，其中，所述第五晶体管由NMOSFET实现。
14.如权利要求1所述的自适应控制电路，还包括：
第二延迟电路，耦接至所述第一节点。
15.如权利要求14所述的自适应控制电路，其中，所述第二延迟电路包括：
第六晶体管，其中所述第六晶体管具有耦接至所述接地电压的控制端、耦接至所述第一节点的第一端以及耦接至所述接地电压的第二端。
16.如权利要求15所述的自适应控制电路，其中，所述第六晶体管由NMOSFET实现。
17.如权利要求14所述的自适应控制电路，还包括：
第三延迟电路，耦接至所述第一节点。
18.如权利要求17所述的自适应控制电路，其中，所述第三延迟电路包括：
第七晶体管，其中所述第七晶体管具有耦接至所述第一节点的控制端、耦接至所述接地电压的第一端以及耦接至所述接地电压的第二端。
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