[发明专利]包括奇偶校验管理模块的存储控制器、包括存储控制器的存储设备和存储设备的操作方法在审
申请号: | 202211409076.0 | 申请日: | 2022-11-10 |
公开(公告)号: | CN116302666A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 高相圭;刘荣旻;金种必 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C29/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张霞;周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 奇偶校验 管理 模块 存储 控制器 设备 操作方法 | ||
提供了一种与非易失性存储器件通信的存储控制器的操作方法。该方法包括:确定包括多个扇区的目标页的编程/擦除(P/E)计数是否大于或等于P/E阈值;基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值来获取目标页;从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区;以及通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月21日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0183923的优先权,该申请的全部公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本文描述的本公开的实施例涉及一种存储控制器,并且更具体地,涉及一种扩展非易失性存储器件的奇偶校验区的存储控制器。
背景技术
随着存储设备的存储器单元逐渐小型化和堆叠化,存储器单元正在退化,并且存储器单元的耐用性正在下降。此外,随着每个存储器单元所存储的位数增加,存储器单元的耐用性进一步成为问题。由于这些问题,基于纠错码的奇偶校验位可以用于纠正存储在存储器单元中的数据中发生的错误。随着存储奇偶校验位的奇偶校验区的大小增加,可以提高纠错能力。
换句话说,可以通过增加可靠性降低的存储器单元的奇偶校验区的大小来再次使用可靠性降低的存储器单元。因此,需要一种通过增加可靠性降低的存储器单元的奇偶校验区的大小来提高纠错能力并重新使用可靠性降低的存储器单元的技术。
发明内容
本公开的示例实施例提供了一种包括奇偶校验管理模块的存储控制器、包括该存储控制器的存储设备、以及该存储设备的操作方法。
根据示例实施例的一个方面,提供了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法,该方法包括:确定包括多个扇区的目标页的编程/擦除(P/E)计数是否大于或等于P/E阈值;基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值获取目标页;从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区;以及通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区。
根据示例实施例的一个方面,提供了一种操作包括非易失性存储器件和存储控制器的存储设备的方法,该方法包括:由存储控制器确定包括多个扇区的目标页的编程/擦除(P/E)计数是否大于或等于P/E阈值;基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值,由存储控制器向非易失性存储器件发送对目标页的获取请求;基于接收到获取请求,由非易失性存储器件将目标页获取到存储控制器;由存储控制器从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区;以及由存储控制器通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区。
根据示例实施例的一个方面,提供了一种存储设备,包括:非易失性存储器件,被配置为存储多个页;纠错码(ECC)引擎,被配置为执行多个页的纠错;计数表,被配置为管理分别与多个页相对应的编程/擦除(P/E)计数;以及奇偶校验管理模块,被配置为基于多个P/E计数辅助ECC引擎的纠错,其中奇偶校验管理模块被配置为:参考计数表,确定与目标页相对应的目标P/E计数是否大于或等于目标P/E阈值;基于确定目标页的P/E计数大于或等于P/E阈值,从非易失性存储器件中获取目标页;从获取的目标页的多个扇区中确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区;基于确定具有高可靠性的第一扇区和具有低可靠性的第二扇区,通过将第一扇区的第一奇偶校验区中的余量区域移动到第二扇区的第二奇偶校验区来扩展第二扇区的第二奇偶校验区;以及请求ECC引擎对第二奇偶校验区被扩展的目标页进行解码。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的示例实施例,本公开的上述和其他方面和特征将变得显而易见。
图1是根据本公开的示例实施例的存储系统的框图。
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