[发明专利]一种实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备

权利要求书

1.一种实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：包括原子磁力计（1）、HTS磁屏蔽线圈（2）、强磁TMS线圈（3）、低温杜瓦以及加热片，所述原子磁力计（1）、HTS磁屏蔽线圈（2）、强磁TMS线圈（3）、低温杜瓦以及加热片设置为检测器（4），且多个检测器（4）并列安装在头盔顶部；

所述原子磁力计（1），用于微弱磁场的测量；

所述HTS磁屏蔽线圈（2），用于在原子磁力计（1）周围用高温超导磁体形成磁屏蔽环；

所述强磁TMS线圈（3），用于对HTS磁屏蔽线圈（2）进行刺激产生反应电流，用于电磁屏蔽；

所述低温杜瓦，用于检测和保障试验环境；

所述加热片，配合加热装置进行失超操作，用于检测前的校准工作。

2.根据权利要求1所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：

所述原子磁力计（1）位于强磁TMS线圈（3）上方，且原子磁力计（1）被HTS磁屏蔽线圈（2）环绕，所述原子磁力计（1）由一个充满铷原子云的玻璃电池组成，无需低温冷却，且相邻的原子磁力计（1）采用不同频率的调制磁场，通过监测透射光量提供了对磁场强度的测量，用于信号采集和分析构图。

3.根据权利要求1所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：

所述HTS磁屏蔽线圈（2）围绕在原子磁力计（1）周围，且HTS磁屏蔽线圈（2）由高温超导磁体材料制成，HTS磁屏蔽线圈（2）由一组多个共面同心放置的高温超导圆线圈组成，用于在磁屏蔽区域形成包被，属于被动磁屏蔽。

4.根据权利要求1所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：

所述强磁TMS线圈（3）位于原子磁力计（1）和HTS磁屏蔽线圈（2）的下方，且强磁TMS线圈（3）通过链接脉冲电源，用于刺激HTS磁屏蔽线圈（2）产生电磁屏蔽，属于强磁低温高频。

5.根据权利要求1所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：

所述低温杜瓦设置为空心的环形筒壁，包括上下低温杜瓦部件和承载杆，且通过低温杜瓦在线圈工作时通入低温气体，利用低温杜瓦降低其因高频产生的热量，使得强磁TMS线圈（3）处于低温的工作环境。

6.根据权利要求1所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：

所述加热片由陶瓷制成，通过加热装置对加热片进行加热使HTS磁屏蔽线圈温度上升，使HTS磁屏蔽线圈失超产生电阻，从而使电流瞬间消失，用于检测前的校准。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的实现超导磁屏蔽的脑磁图检测设备，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将按位置要求装配好的脑磁图检测设备放于受测者头部，根据实际要求来调制原子磁力计（1）的相关参数，并配套使用HTS磁屏蔽线圈（2），保证对应位置的原子磁力计（1）不受环境磁场的干扰；

S2、脑磁图检测设备使用前，先用配套的陶瓷加热片对HTS磁屏蔽线圈（2）进行加热，通过产生对应的电阻来使其电流瞬间消失，达到失超的目的，用于检测前的校准；

S3、原子磁力计（1）具有磁矩的原子旋转的角动量围绕引力场进行矢量转动，将相关数据进行采集，用做进一步地信号处理和分析构图；

S4、失超操作结束后，让与外接脉冲电源相连的强磁TMS线圈（3）工作，通过强磁TMS线圈（3）的刺激，让HTS磁屏蔽线圈（2）产生逆磁的屏蔽环电流，避免原子磁力计（1）在工作时受到周围环境磁场的影响；

S5、在强磁TMS线圈（3）刺激的同时，低温杜瓦通过使用液氦气进行冷热交换，降低强磁TMS线圈（3）因为高频产生的热量。