[发明专利]一种声波器件的制备方法及声波器件

权利要求书

1.一种声波器件，其特征在于，所述声波器件包括：

衬底晶圆；

压电晶圆，位于所述衬底晶圆一侧；

金属电极，位于所述压电晶圆远离所述衬底晶圆一侧，所述金属电极与所述压电晶圆接触；

所述衬底晶圆设置有第一开口结构，沿第一方向，所述第一开口结构贯穿所述衬底晶圆；

所述压电晶圆靠近所述衬底晶圆一侧设置有第二开口结构，沿所述第一方向，所述第二开口结构的厚度小于所述压电晶圆的厚度，且所述第二开口结构的投影与所述第一开口结构的投影至少部分交叠；

所述第一方向为沿所述衬底晶圆指向所述压电晶圆的方向；

其中，所述金属电极包括叉指结构、汇流条和电极焊盘；所述叉指结构与所述汇流条电连接，所述汇流条与所述电极焊盘电连接；

沿所述第一方向，所述叉指结构的投影分别与所述第一开口结构的投影和所述第二开口结构的投影交叠。

2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述声波器件还包括：至少一层功能层，所述功能层位于所述衬底晶圆与所述压电晶圆之间且分别与所述衬底晶圆和所述压电晶圆接触，所述功能层设置有第三开口结构，沿所述第一方向，所述第三开口结构贯穿所述功能层，所述第三开口结构的投影分别与所述第一开口结构的投影和所述第二开口结构的投影至少部分交叠。

3.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述压电晶圆的厚度范围为1μm-1000μm；沿所述第一方向，与所述第二开口结构投影交叠的部分所述压电晶圆的厚度为100nm-5μm。

4.一种声波器件的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-3中任一项所述的声波器件，所述制备方法包括：

提供衬底晶圆和压电晶圆；

所述衬底晶圆和所述压电晶圆进行对位键合；

对所述衬底晶圆沿第一方向进行刻蚀处理形成第一开口结构，所述第一开口结构贯穿所述衬底晶圆；

对所述压电晶圆沿第一方向进行刻蚀处理形成第二开口结构，所述第二开口结构位于所述压电晶圆内,沿所述第一方向，所述第二开口结构的厚度小于所述压电晶圆的厚度，且所述第二开口结构的投影与所述第一开口结构的投影至少部分交叠；

在所述压电晶圆远离所述衬底晶圆一侧制备金属电极层，对所述金属电极进行图案化处理，形成金属电极，以获得声波器件；

其中，所述第一方向为沿所述衬底晶圆指向所述压电晶圆的方向；

在所述压电晶圆远离所述衬底晶圆一侧制备金属电极层，对所述金属电极层进行图案化处理，形成金属电极，包括：

在所述压电晶圆远离所述衬底晶圆一侧进行光刻、镀金属电极层、剥离处理，形成金属电极，所述金属电极包括叉指结构、汇流条和电极焊盘，沿所述第一方向，所述叉指结构的投影分别与所述第一开口结构的投影和所述第二开口结构的投影交叠。

5.根据权利要求4所述的声波器件的制备方法，其特征在于，所述衬底晶圆和所述压电晶圆进行对位键合，包括：

对所述衬底晶圆的第一表面进行抛光处理；

对所述压电晶圆的第二表面进行抛光处理；

所述第一表面和所述第二表面进行对位键合。

6.根据权利要求4所述的声波器件的制备方法，其特征在于，所述衬底晶圆和所述压电晶圆进行对位键合之前，还包括：

在所述衬底晶圆一侧制备至少一层功能层，所述功能层与所述衬底晶圆直接接触；

对所述功能层远离所述衬底晶圆一侧的第三表面进行抛光处理；

所述衬底晶圆和所述压电晶圆进行对位键合，包括：

对所述压电晶圆的第二表面进行抛光处理；

所述第二表面和所述第三表面进行对位键合。

7.根据权利要求6所述的声波器件的制备方法，其特征在于，对所述压电晶圆沿第一方向进行刻蚀处理形成第二开口结构之前还包括：

对所述功能层沿所述第一方向进行刻蚀处理形成第三开口结构，所述第三开口结构贯穿所述功能层，沿所述第一方向，所述第三开口结构的投影分别与所述第一开口结构的投影和所述第二开口结构的投影至少部分交叠。

8.根据权利要求4所述的声波器件的制备方法，其特征在于，在所述压电晶圆远离所述衬底晶圆一侧进行光刻、镀金属电极层、剥离处理，形成金属电极，所述金属电极包括叉指结构、汇流条和电极焊盘之后，还包括：

在所述压电晶圆的金属电极一侧进行二次光刻、镀第一金属层、剥离处理，在所述汇流条和所述电极焊盘远离所述衬底晶圆一侧形成第一金属结构，所述第一金属结构分别与所述汇流条和所述电极焊盘贴合设置。