[发明专利]一种双频段阵列天线及其实现方法

权利要求书

1.一种双频段阵列天线，其特征在于，包括：第一阵列天线（1）、第二阵列天线（2）及公共馈电功分网络（3）；

公共馈电功分网络（3）包括第一金属层（31），第一金属层（31）具有馈电端口（32）及具有微带结构的功分网络（33），功分网络（33）将馈电端口（32）输入的馈电信号一分为二；

第一阵列天线（1）及第二阵列天线（2）呈对称结构分别设于公共馈电功分网络（3）的两面，第一阵列天线（1）及第二阵列天线（2）均包括依次叠放的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第四金属层（6）及第五金属层（7），其中第二金属层（4）均朝向公共馈电功分网络（3）一侧；

第一金属层（31）、第二金属层（4）、第三金属层（5）、第四金属层（6）及第五金属层（7）之间均设有陶瓷基板（8）；

第二金属层（4）为接地层；

第三金属层（5）具有阻抗匹配网络（51）；

第一阵列天线（1）的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第一金属层（31）及相邻之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第一金属化孔（34），功分网络（33）的一组信号通过第一金属化孔（34）传递给第一阵列天线（1）的阻抗匹配网络（51）；

第二阵列天线（2）的第二金属层（4）、第三金属层（5）、第一金属层（31）及相邻之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第二金属化孔（35），功分网络（33）的另一组信号通过第二金属化孔（35）传递给第二阵列天线（2）的阻抗匹配网络（51）；

第四金属层（6）阵列开设有耦合缝隙（61），且第一阵列天线（1）与第二阵列天线（2）对应的耦合缝隙（61）尺寸存在差异；

第五金属层（7）对应耦合缝隙（61）均设有辐射贴片（71），阻抗匹配网络（51）将信号通过对应的耦合缝隙（61）与辐射贴片（71）进行耦合，第一阵列天线（1）与第二阵列天线（2）对应的辐射贴片（71）形状和/或尺寸存在差异。

2.根据权利要求1所述的双频段阵列天线，其特征在于，对应的耦合缝隙（61）正交方向的辐射贴片（71）设置有变容二极管（72）。

3.根据权利要求1所述的双频段阵列天线，其特征在于，第一阵列天线（1）对应的第二金属层（4）与第三金属层（5）之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第三金属化孔（11），用于连通第二金属层（4）及第三金属层（5），且第三金属化孔（11）连接有单独的馈电端口；

第二阵列天线（2）对应的第二金属层（4）与第三金属层（5）之间的陶瓷基板（8）贯穿设有第四金属化孔（21），用于连通第二金属层（4）及第三金属层（5），且第四金属化孔（21）连接有单独的馈电端口。

4.一种双频段阵列天线的实现方法，其特征在于，包括步骤：

提供八块陶瓷基板（8），其中，一块陶瓷基板（8）顶面采用厚膜电路工艺形成第一金属层（31），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第二金属层（4），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第三金属层（5），两块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第四金属层（6），一块陶瓷基板（8）的顶面采用厚膜电路工艺形成有第五金属层（7），形成有第四金属层（6）的其中一块陶瓷基板（8）的底面采用厚膜电路工艺形成有第五金属层（7）；

第一金属层（31）上蚀刻形成馈电端口（32）及功分网络（33），功分网络（33）具有两处信号输出端；

第三金属层（5）上蚀刻形成阻抗匹配网络（51）；

第四金属层（6）加工耦合缝隙（61），两块陶瓷基板（8）对应的第四金属层（6）的耦合缝隙（61）的尺寸存在差异；

第五金属层（7）上阵列设置辐射贴片（71），两块陶瓷基板（8）对应的第五金属层（7）上的辐射贴片（71）的形状和/或尺寸存在差异；

叠合；

压合烧结，采用厚膜工艺形成双频段阵列天线。