[发明专利]基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法在审
| 申请号: | 202211393439.6 | 申请日: | 2022-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN115513116A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
| 发明(设计)人: | 朱智源;王骏豪 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 敏感 聚合物 临时 解键脱粘 方法 | ||
1.基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,应用于具有晶圆与基板的叠层结构的临时键合和解键合过程中,所述方法包括:
采用电敏感聚合物对晶圆和载体进行键合,以使所述叠层结构形成临时键合体;
确定目标区域,当前临时键合体外接摩擦电电源解键合,对当前目标区域施加拉力,以使所述叠层结构的目标区域分离;
确定下一目标区域的位置并将电源进行移动,以使所述摩擦电电源能对下一目标区域进行解键合。
2.如权利要求书1所述的基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,所述方法对晶圆和载体进行临时键合,包括:
对所述晶圆的键合面或所述载体晶片的键合面涂覆电敏感聚合物;
对涂覆有所述电敏感聚合物的所述晶圆或所述载体晶片进行进行压制贴合;
通过所述电敏感聚合物键合,得到临时键合体。
3.如权利要求书2所述的基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,所述方法对晶圆和载体进行临时键合,还包括一种新型Al-Cu键和凸点结构,所述晶圆键合面溅射Al金属表层,利用凸点工艺对所述金属表面进行Cu凸点制作,和所述电敏感聚合物相接,形成临时键合体。
4.如权利要求书1所述的基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,所述方法利用摩擦纳米发电机收集微小机械能转化为电能,包括:
所述摩擦电经整流电路与键合体连接,阳极与晶圆金属层相连,阴极与载体相连;
对键合体目标区域部分施加拉力,以使所述叠层结构的目标区域分离;
利用电敏感聚合物对电能的敏感性达到解键合的目的。
5.如权利要求书4所述的基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,所述方法的电解特性可以优化工艺,包括:
对所述保护晶片的键合面进行切割,根据不同需求可将晶圆二等分、四等分等不同大小;
按照所需芯片厚度进行从厚到薄排序,在减薄的工艺流程中,按顺序进行减薄;
目标区域分离后,所述摩擦电电源移动到下一厚度进行解键合;
通过电解键合方式可得到一种制备不同厚度芯片的工艺路线。
6.如权利要求书5所述的基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法,其特征在于,所述方法切割晶圆后需进行填充氧化物隔离分区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





