[发明专利]一种用于超低量程的γ连续探测装置

权利要求书

1.一种用于超低量程的γ连续探测装置，包括闪烁体、光导、光电倍增管、前放电路板，其特征在于：所述闪烁体相对被测介质的端面设有井型凹陷。

2.根据权利要求1所述的用于超低量程的γ连续探测装置，其特征在于：包括取样容器、密封顶盖、探测筒体，所述探测筒体为薄壁圆筒结构，所述取样容器与探测筒体组合，形成内部取样腔室，腔室盛装被测介质，探测筒体壁为取样容器内壁，通过进、出管口将上游的介质引入取样容器内，所述探测筒体内部由下至上依次布置闪烁体、光导、光电倍增管、前放电路板，探测筒体顶部设置密封顶盖，所述闪烁体的底部设有井型凹陷，所述探测筒体的底部设有与闪烁体底部相配合的凹陷。

3.根据权利要求2所述的用于超低量程的γ连续探测装置，其特征在于：所述取样容器外部设有屏蔽体，屏蔽体采用全封闭结构，内部为铅屏蔽，外部包裹钢壳。

4.根据权利要求2所述的用于超低量程的γ连续探测装置，其特征在于：所述探测筒体选用低原子序数的铝镁合金材料外加导电涂层制成。

5.根据权利要求1所述的用于超低量程的γ连续探测装置，其特征在于：所述闪烁体的凹陷深度与整个晶体长度占比为50%~85%。