[发明专利]半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统

说明书

本申请实施例提供一种半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统，首先对待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态以获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降，然后对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流以获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降，最后根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述半导体器件的结温测试结果。如此，基于不同电流作用下半导体器件的压降不同的原理，通过压降差与温度系数关系测试得到器件结温，进而对半导体器件的结温进行有效且精准的测试。

技术领域

本申请涉及半导体器件测试技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统。

背景技术

随着半导体器件的高速发展，半导体器件在各个领域得到了广泛且大量的应用。同时，随着半导体器件的大量使用，用户对器件的可靠性要求越来越高，而半导体器件是温度敏感性器件，随着器件在使用过程中温度的不断升高，半导器件的性能则会有明显的下降。因此，半导体器件在电路应用设计时，如果设计的余量不够就会出现器件失效的问题。此外，半导体器件(如二极管)的结温是影响半导体器件性能的一个重要因素。基于此，如何有效的对半导体器件进行结温测试，是本领域研究人员一直致力于研究的课题。

发明内容

基于上述内容，一方面，本申请提供一种半导体器件结温测试方法，包括：

对待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态，并获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降；

对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流；

获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降；

根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述半导体器件的结温测试结果。

基于第一方面的一种可能的实施方式，所述方法还包括：

将所述结温测试结果与基于所述预设幅值、预设脉冲宽度的大电流而确定的预设规格结温值进行比较，判断所述待测半导体器件的结温测试结果是否合格；

其中，当所述结温测试结果小于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果合格；

当所述结温测试结果大于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果不合格。

基于第一方面的一种可能的实施方式，所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值通过以下公式计算得到：

TC＝TA+(VF1-VF2)/A

其中，TC为所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值，TA为当前测试环境下的环境温度，A为所述待测半导体器件的温度压降系数。

基于第一方面的一种可能的实施方式，所述温度压降系数A的取值范围为2mV/℃到2.5mV/℃，优选地，所述温度压降系数A的取值为2.5mV/℃。

第二方面，本申请实施例还提供一种半导体器件结温测试系统，包括器件测试装置以及待测半导体器件，所述器件测试装包括测试控制电路模块以及测试结果模块，其中：

所述测试控制电路模块用于对所述待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态，并获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降；以及，用于对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流，并获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降；

所述测试结果模块用于根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述待测半导体器件的结温测试结果。