[发明专利]半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统

权利要求书

1.一种半导体器件结温测试方法，其特征在于，包括：

对待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态，并获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降；

对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流；

获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降；

根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述半导体器件的结温测试结果。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结温测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述结温测试结果与基于所述预设幅值、预设脉冲宽度的大电流而确定的预设规格结温值进行比较，判断所述待测半导体器件的结温测试结果是否合格；

其中，当所述结温测试结果小于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果合格；

当所述结温测试结果大于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果不合格。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件结温测试方法，其特征在于，所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值通过以下公式计算得到：

TC＝TA+(VF1-VF2)/A

其中，TC为所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值，TA为当前测试环境下的环境温度，A为所述待测半导体器件的温度压降系数。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结温测试方法，其特征在于，所述温度压降系数A的取值范围为2mV/℃到2.5mV/℃，优选地，所述温度压降系数A的取值为2.5mV/℃。

5.一种半导体器件结温测试系统，其特征在于，包括器件测试装置以及待测半导体器件，所述器件测试装包括测试控制电路模块以及测试结果模块，其中：

所述测试控制电路模块用于对所述待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态，并获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降；以及，用于对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流，并获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降；

所述测试结果模块用于根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述待测半导体器件的结温测试结果。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结温测试系统，其特征在于，所述测试控制电路模块包括控制单元、电压源、恒流源、测量单元；所述待测半导体器件为二极管；

所述电压源、所述恒流源以及所述测量单元分别与所述二极管连接；所述控制单元与所述电压源以及所述恒流源连接，用于控制所述电压源向所述二极管施加所述预设正向电压并控制所述恒流源向所述二极管施加所述大电流；

所述测量单元与所述待测半导体器件连接，用于测量所述第一压降以及所述第二压降。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结温测试系统，其特征在于，所述电压源的正极通过第一开关与所述二极管的阳极连接，所述电压源的负极与所述二极管的阴极连接；所述恒流源的一端通过第二开关与所述二极管的阳极连接、另一端与所述二极管的阴极连接；

所述控制单元分别与所述第一开关和所述第二开关连接，以通过控制所述第一开关以及所述第二开关来控制所述电压源以及恒流源分别向所述二极管施加所述预设正向电压以及所述大电流；

所述测量单元连接在所述二极管的阳极和阴极两端，以测量所述第一压降以及所述第二压降。

8.根据权利要求5-7任意一项所述的半导体器件结温测试系统，其特征在于，所述测试结果模块还用于：

将所述结温测试结果与基于所述预设幅值、预设脉冲宽度的大电流而确定的预设规格结温值进行比较，判断所述待测半导体器件的结温测试结果是否合格；

其中，当所述结温测试结果小于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果合格；

当所述结温测试结果大于所述预设规格结温值时，判定所述结温测试结果不合格。