[发明专利]一种用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装

说明书

本发明涉及一种用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装，包括：底座；旋转组件，安装在底座上，旋转组件用于调整晶锭的水平位置；角度控制组件，设置在旋转组件上，角度控制组件用于调整晶锭的俯仰角度；翻转组件，设置在角度控制组件上，翻转组件用于在切割过程中实现晶锭翻转；晶锭夹持组件，与翻转组件连接，晶锭夹持组件用于夹持晶锭。本发明的用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装，利用晶锭夹持组件和翻转组件，在加工过程中实现晶锭加持和手动翻面结合，能够有效克服晶锭表面不平整带来的不利影响，一方面提高切割精度和切割速度，另一方面有效降低了手工对准引起的加工误差。

技术领域

本发明属于半导体材料的加工技术领域，具体涉及一种用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装。

背景技术

SiC作为一种典型的硬脆材料，莫氏硬度为9.2～9.5仅次于金刚石，使得其加工制造过程十分困难。滚圆工艺作为制造SiC单晶衬底首要关键的工序，其加工质量直接影响到材料滚圆损失、后续工序的材料去除量、最终加工质量（表面粗糙度和平整度）、产品出品率及加工成本等。随着晶体生长技术的发展和市场的需求持续增加，大直径SiC单晶衬底的需求量越来越大。目前SiC单晶衬底正由6英寸向8英寸过渡，对传统的晶片滚圆技术带来了严峻的挑战，如何高效率、高质量、低成本、低损伤、高出品率滚圆SiC单晶，已成为当前SiC单晶衬底加工领域重要的研究方向。

现有技术中采用微射流激光对SiC晶锭进行滚圆时，采用的是将晶锭加持在固定基座上，微射流激光头沿加工方向移动的加工方法。在现有的滚圆加工工艺中，由于晶锭表面并非平整，会导致在滚圆工艺时加工路径上不同位置切割深度不一致，会影响加工精度降低加工效率，如果采用双面切割，在手动翻面时容易出现手动对准困难的问题，也会影响加工精度降低加工效率。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种用于水射流激光的手动双面切割晶锭的工装，包括：

底座；

旋转组件，安装在所述底座上，所述旋转组件用于调整晶锭的水平位置；

角度控制组件，设置在所述旋转组件上，所述角度控制组件用于调整所述晶锭的俯仰角度；

翻转组件，设置在所述角度控制组件上，所述翻转组件用于在切割过程中实现晶锭翻转；

晶锭夹持组件，与所述翻转组件连接，所述晶锭夹持组件用于夹持所述晶锭。

在本发明的一个实施例中，所述旋转组件包括平台转接板和滑块，其中，

所述平台转接板固定在所述底座上；

所述滑块与所述平台转接板可转动连接，实现所述滑块在所述平台转接板所在平面内旋转。

在本发明的一个实施例中，所述角度控制组件为角向滑台，包括螺旋锁扣、滑台本体和角向滑块，其中，

所述滑台本体与所述滑块固定连接，所述滑台本体上设置有圆弧状滑轨；

所述角向滑块位于所述滑台本体上，所述螺旋锁扣的一端穿过所述滑台本体与所述角向滑块连接；

通过旋转所述螺旋锁扣控制所述角向滑块在所述滑台本体上沿圆弧状滑轨滑动，用于调整所述晶锭的俯仰角度。

在本发明的一个实施例中，所述翻转组件包括轴承座、两个自润滑轴承、翻面转轴和翻转限位组件，其中，

所述轴承座与所述角向滑块固定连接，所述轴承座上对称设置有两个安装孔；

两个所述自润滑轴承固定安装在对应的安装孔内；