[发明专利]针对自适应双设备数据纠正备用的地址生成

说明书

自适应双设备数据纠正备用以递增的顺序使用存储器地址。最后的备用地址被存储为存储器地址。处理器存储器事务的每个系统地址被转换成存储器地址。存储器地址被与最后的备用地址进行比较，以确定用于处理器存储器事务的错误码纠正格式。

技术领域

本公开涉及存储器管理，特别地，涉及存储器错误管理。

背景技术

备用技术(sparing technique)被用于抵御硬动态随机存取存储器(DRAM)故障或硬错误。硬错误指的是实体设备的错误，它使实体设备无法正常读取和/或写入，并且不同于作为间歇性故障的瞬时错误。已知的这种技术有单设备数据纠正(SDDC)、双设备数据纠正(DDDC)和自适应双设备数据纠正(ADDDC)，它们提供错误检查和纠正(ECC)，以防止在DRAM中由于硬故障而导致的存储器故障。

SDDC检查和纠正对整个单个DRAM设备造成影响的单位或多位存储器故障。DDDC提供错误检查和纠正，以防止在两个连续的DRAM设备中出现存储器故障。ADDDC可以以区块(rank)或库(bank)的粒度来实现。区块是连接到同一片选(chip select)的一组DRAM设备。库是DRAM设备内的存储器位置的阵列。

备用操作将存储器的内容复制到另一位置或复制为另一格式。备用操作的示例包括：区块备用(其将来自坏的区块的数据复制到备用区块)、以及设备备用(其将坏的DRAM设备的内容复制到另一DRAM设备)。

附图说明

随着以下详细描述的进行以及对附图的参考，所要求保护的主题的实施例的特征将变得明显，在附图中，类似的附图标记描述类似的部分，并且在附图中：

图1是包括存储器和存储器控制器的存储器子系统的框图；

图2是具有存储器子系统的系统的实施例的框图，该存储器子系统包括耦合到存储器控制器的至少一个存储器模块；

图3示出了存储在存储器中两个区域中的缓存行，该区域以非锁步配置进行操作；

图4示出了存储在存储器中的故障存储器区域和非故障存储器区域中的缓存行，该区域在ADDDC备用完成之后以锁步配置进行操作；

图5示出了针对ADDDC模式的使用系统地址的备用地址的示例；

图6是在存储器控制器中执行的用于执行备用复制的方法；以及

图7是包括存储器控制器的计算机系统的实施例的框图。

尽管将参考所要求保护的主题的说明性实施例来进行下面的详细描述，但是对于本领域技术人员来说，这些实施例的许多替代方案、修改和变化是显而易见的。因此，旨在广义地看待所要求保护的主题，并按照所附权利要求中的陈述对该主题进行定义。

具体实施方式

在备用区块(spare rank)可用时，备用复制(spare copy)操作将数据从一个区块(连接到同一片选(chip select)的一组动态随机存取存储器(DRAM)设备)复制到另一个区块，或者将数据以不同的错误纠正码(Error Correction Code，ECC)格式复制到同一位置以获得备用设备。备用设备可用于存储来自故障DRAM设备的数据。可以在备用DRAM设备与另一非故障DRAM设备之间分割数据。

为了使用自适应双设备数据纠正(ADDDC)格式来执行备用复制，缓存行的第一半被写入原始位置(故障DRAM设备中的故障位置)，缓存行的第二半被写入非故障位置(非故障DRAM设备中的非故障位置)。类似地，非故障位置中的原始缓存行被存储在故障位置和非故障位置两者中。因此，需要从故障位置和非故障位置两者读取数据，然后再将数据写回去，以避免数据丢失。故障位置和非故障的位置具有不同的系统地址，这些地址通常是不连续的系统地址。