[发明专利]一种聚酰胺膜及制备方法、电子器件

权利要求书

1.一种聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，包括：

将硅系反应型阻燃剂、磷系反应型阻燃剂、第一二元胺以及第一二元酸复配，得到硅磷反应型阻燃剂预聚体；

利用聚酰胺盐和所述硅磷反应型阻燃剂预聚体制备聚酰胺膜。

2.根据权利要求1所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述将硅系反应型阻燃剂、磷系反应型阻燃剂、二元胺以及二元酸复配，得到硅磷反应型阻燃剂预聚体，包括：

将第一二元胺与磷系反应阻燃剂混合，得到磷系反应型阻燃剂预聚体；

将第一二元酸与硅系反应阻燃剂混合，得到硅系反应型阻燃剂预聚体；

将所述磷系反应阻燃剂预聚体和所述硅系反应阻燃剂预聚体混合反应，得到硅磷反应型阻燃剂预聚体。

3.根据权利要求1所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述利用聚酰胺盐和所述硅磷反应型阻燃剂预聚体制备聚酰胺膜，包括：

将所述聚酰胺盐和所述硅磷反应型阻燃剂预聚体进行共聚反应，获得阻燃聚酰胺共聚体；

将所述阻燃聚酰胺共聚体制成聚酰胺膜。

4.根据权利要求1所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述利用聚酰胺盐和所述硅磷反应型阻燃剂预聚体制备聚酰胺膜前，所述方法还包括：

利用第二二元胺和第二二元酸制备聚酰胺盐，第二二元胺和第一二元胺相同或不同，第二二元酸和第一二元酸相同或不同。

5.根据权利要求4所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述第二二元胺和所述第二二元酸的摩尔比为1:(1～1.5)。

6.根据权利要求1～5任一项所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述硅系反应型阻燃剂、磷系反应型阻燃剂、第一二元胺以及第一二元酸的质量比为(10～25):(10～25):(10～25):(10～25)，所述聚酰胺盐和所述硅磷反应型阻燃剂预聚体的质量比为100:(4～10)。

7.根据权利要求1～5任一项所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述磷系反应型阻燃剂包括磷酸酯类反应型阻燃剂、有机磷盐类反应型阻燃剂，磷杂环类反应型阻燃剂及聚合物磷酸酯类反应型阻燃剂中的至少一种，所述硅系反应型阻燃剂包括硅树脂反应型阻燃剂、含氮硅氧烷和聚硅氧烷反应型阻燃剂中的至少一种。

8.根据权利要求1～5任一项所述的聚酰胺膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺盐包括单独单体均聚聚酰胺盐、单独双体均聚聚酰胺盐、共聚聚酰胺盐、共聚阻燃聚酰胺盐中的至少一种。

9.一种聚酰胺膜，其特征在于，所述聚酰胺膜采用权利要求1～8任一项所述的聚酰胺膜的制备方法制备而成。

10.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求9所述的聚酰胺膜。