[发明专利]结型场效应晶体管的形成方法

说明书

本发明提供了一种结型场效应晶体管的形成方法，应用于半导体技术领域。其首先通过调整工艺步骤的方式，简化了现有技术中形成结型场效应晶体管的工艺流程，从而提出一种新的结型场效应晶体管的形成方法，即，利用一步多晶硅沉积就可以形成结型场效应晶体管的源区，而无需像现有技术那样采用两步多晶硅沉积的方式形成，即，本发明提供的形成方法实现了从两步沉积多晶硅到一步沉积多晶硅的工艺流程，既简化了工艺步骤，又节省了成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种结型场效应晶体管的形成方法。

背景技术

结型场效应晶体管(Junction Field Effect Transistor)是一种通过栅电压改变栅区PN结耗尽层的宽度，以达到调制导电沟道横截面积，从而有效控制沟道电流的多子导电场效应半导体器件。结型场效应晶体管由W.B.Shockley在1952年提出可避免表面态影响的，用PN结作栅的体内导电沟道结构，之后经G.C.Dacey和I.M.Ross的发展，成为第一种达到实用化程度的场效应晶体管。

结型场效应晶体管是依靠多数载流子工作的体内导电器件，这使其具有许多优点：没有少子存贮效应，适于高频和高速工作；噪声系数低，适于要求高灵敏度、低噪声的场合，如检测各种微弱信号的医疗器械等；抗辐照能力强，适用于航天器等承受强烈核辐射、宇宙射线辐射的设备中；具有负的电流温度系数(由迁移率决定)，可以避免热Thermalrunaway)和二次击穿等问题，从而适合制造功率器件。

结型场效应晶体管的制造工序少、工艺相对简单，有利于提高产品合格率、降低成本。同时，其结构多样，诸如：双扩散结构、外延扩散结构、条形栅结构、垂直沟道隐埋栅结构等，这使其提高跨导等性能参数时，可供选择的途径较多，容易获得成功。而且它属于电压控制器件，直流输入阻抗高，驱动电路简单。

鉴于以上的优点，结型场效应晶体管自进入半导体器件领域后，得到广泛的应用，例如：小信号放大器、电流限制器、电压控制电阻器、开关电路、混频器和振荡器等。而在现有的DMOS planar channel现今制备工艺流程基本采用两层poly_dep，在其间制备JEFTox，同时增加SiN DepRM来辅助完成JFET_CMP，然而，因为鸟嘴状的field ox(场氧)会在器件的存储结构上形成台阶结构，从而容易发送在JEFT_CMP之后产生ox residue(剩余物)，进而导致之后在SiN_RM后有SiN residue(剩余物)存在于两层poly之间，并在之后poly1打开时可能会造成poly residue导致block source/well IMP，影响器件device的性能(增大器件的阈值电压)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种结型场效应晶体管的形成方法，以在简化现有形成结型场效应晶体管的工艺步骤的同时，避免了现有形成方法中出现的由于该类晶体管中形成的鸟嘴状场氧结构导致形成的台阶结构，造成的利用两层多晶硅层和氮化硅层形成离子注入区的过程中，在所述台阶结构处形成的残留物堆叠的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种结型场效应晶体管的形成方法，具体的其至少包括如下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有场氧隔离结构以及通过所述场氧隔离结构定义出的至少一个所述结型场效应晶体管的存储单元，且在所述存储单元所对应的半导体衬底内形成有一离子注入区JEFT-IMP；

在所述半导体衬底的表面上依次形成第一TEOS层、栅氧化层、多晶硅层和第二TEOS层，所述第一TEOS层覆盖在所述存储单元中的离子注入区JEFT-IMP所对应的半导体衬底的表面上，所述栅氧化层覆盖在所述第一TEOS层与所述存储单元所对应的整个半导体衬底的表面之间，所述多晶硅层和第二TEOS层依次覆盖在所述栅氧化层的表面上。

进一步的，所述场氧隔离结构的形成可以为鸟嘴状。

进一步的，所述存储单元所对应的半导体衬底内还可以形成有第一掺杂类型阱。