[发明专利]一种基于F-P干涉的磁场测量系统在审
| 申请号： | 202211332521.8 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115575870A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 祝连庆;王帅;董明利;祝静;张旭;夏嘉斌 | 申请（专利权）人： | 广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩 |
| 地址： | 511400 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 干涉 磁场 测量 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于F-P干涉的磁场测量系统，其特征在于，所述测量系统包括：宽带光源，
连接所述宽带光源的环形器，所述环形器分别连接光纤F-P磁场传感器和光谱仪；
其中，所述光纤F-P磁场传感器包括磁致伸缩材料基片，第一单模光纤和第二单模光纤，所述第一单模光纤的第一端和所述第二单模光纤的第二端分别嵌套在毛细管中，所述第一单模光纤的第一端和所述第二单模光纤的第二端之间形成F-P腔；
所述毛细管固定在所述磁致伸缩材料基片上。
2.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述宽带光源为ASE光源，波段为1510nm-1595nm，功率为20mW。
3.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述磁致伸缩材料为铁镓丝，尺寸为宽0.6mm×长0.8mm。
4.根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述第一单模光纤的第一端和所述第二单模光纤的第二端，分别镀有至少一层反射率为30％复合介质膜。
5.根据权利要求4所述的测量系统，其特征在于，所述复合介质膜为SiO2/Ta2O5薄膜、Si3N4/Ta2O5薄膜或SiO2/Ta2O5/Si3N4薄膜中的至少一种薄膜。
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