[发明专利]单晶硅样片清洗剂和清洗方法

说明书

本发明公开了一种单晶硅样片清洗剂和清洗方法，单晶硅样片清洗剂包括：椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.2％‑0.4％、磷酸3％‑6％、氢氟酸2％‑5％、盐酸3％‑8％、硝酸0.1％‑0.3％，其余为去离子水。通过本发明提供的单晶硅样片清洗剂清洗单晶硅样片时，无需专业设备和特定场所进行操作，能够现场随时对单晶硅样片进行清洗，增加工序流转的便捷性，减少厂房、专业设备投入的成本，无需人工搅拌清洗，节约人工成本，并且清洗后的单晶硅样片清洗效果好，检测质量稳定均一。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，更具体地，涉及一种单晶硅样片清洗剂和清洗方法。

背景技术

单晶硅作为一种半导体材料，除用于制造集成电路和其他电子元件，也用于光伏发电，为了保证后续电池片的性能，需要在制作电池片之前对单晶硅进行氧、碳含量测试，再对测试后的单晶硅进行清洗，避免测试后的单晶硅表面附着杂质。

在现有技术中，测试后的单晶硅进行清洗采用混酸清洗工艺，具体的，将测试后的单晶硅浸泡在氢氟酸与硝酸的混合溶液中，使用搅拌棒不断搅拌或进行振动，以去除单晶硅表面的杂质，但这种方法需要在特定场地使用特定设备进行操作，不能现场随时制样清洗，并且还需要人工参与清洗过程，操作人员有化学品伤害风险。

因此，亟需提供一种不受场地限制、保证操作人员安全的单晶硅样片清洗剂和清洗方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种单晶硅样片清洗剂和清洗方法。

一方面，本发明提供了一种单晶硅样片清洗剂，包括：

椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.2％-0.4％、磷酸3％-6％、氢氟酸2％-5％、盐酸3％-8％、硝酸0.1％-0.3％，其余为去离子水。

另一发明，本发明提供了一种单晶硅样片清洗剂的清洗方法，包括：

水洗单晶硅样片；

酒精清洗所述单晶硅样片；

所述单晶硅样片浸泡单晶硅样片清洗剂，所述单晶硅样片清洗剂采用上述所述的单晶硅样片清洗剂；

去离子水冲洗所述单晶硅样片；

烘干所述单晶硅样片。

与现有技术相比，本发明提供的单晶硅样片清洗剂，至少实现了如下的有益效果：

本发明提供的单晶硅样片清洗剂包括：椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.2％-0.4％、磷酸3％-6％、氢氟酸2％-5％、盐酸3％-8％、硝酸0.1％-0.3％，其余为去离子水，单晶硅样片清洗剂无高浓度酸溶液，降低化学品伤害风险、作业环境安全，采用本发明提供的单晶硅样片清洗剂清洗单晶硅样片时，无需专业设备和特定场所进行操作，能够现场随时对单晶硅样片进行清洗，增加工序流转的便捷性，减少厂房、专业设备投入的成本，无需人工搅拌清洗，节约人工成本，并且清洗后的单晶硅样片清洗效果好，检测质量稳定均一。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明提供的单晶硅样片清洗剂的清洗方法的一种流程图；

图2是本发明提供的单晶硅样片清洗剂的清洗方法的另一种流程图。

具体实施方式