[发明专利]单晶硅样片清洗剂和清洗方法在审
| 申请号： | 202211317375.1 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115537272A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 钟峰;蔺宝林;周佑林;潘洁 | 申请（专利权）人： | 新疆晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/78 | 分类号： | C11D1/78;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/60;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 835800 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 样片 洗剂 清洗 方法 | ||
1.一种单晶硅样片清洗剂，其特征在于，包括：
椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.2％-0.4％、磷酸3％-6％、氢氟酸2％-5％、盐酸3％-8％、硝酸0.1％-0.3％，其余为去离子水。
2.根据权利要求1所述的单晶硅样片清洗剂，其特征在于，包括：
椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.25％-0.35％、磷酸3.5％-5.5％、氢氟酸2.5％-4.5％、盐酸3.5％-7.5％、硝酸0.15％-0.25％，其余为去离子水。
3.根据权利要求1所述的单晶硅样片清洗剂，其特征在于，包括：
椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.26％-0.34％、磷酸4％-5％、氢氟酸3％-4％、盐酸4％-7％、硝酸0.16％-0.24％，其余为去离子水。
4.根据权利要求1所述的单晶硅样片清洗剂，其特征在于，包括：
椰子油烷基酰胺磷酸酯4％、螯合剂0.27％-0.33％、磷酸4.2％-4.8％、氢氟酸3.2％-3.8％、盐酸4.5％-6.5％、硝酸0.18％-0.22％，其余为去离子水。
5.根据权利要求1所述的单晶硅样片清洗剂，其特征在于，所述螯合剂为山梨糖醇。
6.一种单晶硅样片清洗剂的清洗方法，其特征在于，包括：
水洗单晶硅样片；
酒精清洗所述单晶硅样片；
所述单晶硅样片浸泡单晶硅样片清洗剂，所述单晶硅样片清洗剂采用权利要求1至5中任一项所述的单晶硅样片清洗剂；
去离子水冲洗所述单晶硅样片；
烘干所述单晶硅样片。
7.根据权利要求6所述的单晶硅样片清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述酒精清洗所述单晶硅样片，包括：
采用所述酒精浸泡所述单晶硅样片后进行擦拭，或者使用所述酒精喷洒所述单晶硅样片表面后进行擦拭。
8.根据权利要求6所述的单晶硅样片清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述单晶硅样片浸泡单晶硅样片清洗剂的浸泡时间大于等于15分钟。
9.根据权利要求6所述的单晶硅样片清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述酒精的浓度大于90％。
10.根据权利要求6所述的单晶硅样片清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述单晶硅样片浸泡单晶硅样片清洗剂，包括：
每20升所述单晶硅样片清洗剂浸泡50片所述单晶硅样片。
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