[发明专利]一种耐高温的雷达吸波材料以及利用该材料制备吸波涂层的方法和应用

权利要求书

1.一种耐高温的雷达吸波材料，其特征在于，所述雷达吸波材料的分子式为Sr_(2-x)Ln_xSiO₄，式中Ln为任意一种镧系元素，掺杂量x＝0.4～1.0。

2.根据权利要求1所述的一种耐高温的雷达吸波材料，其特征在于，所述掺杂量x＝0.6～1.0。

3.一种利用权利要求1或2所述的雷达吸波材料制备吸波涂层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一、按比例称取设定量的锶源、镧源和硅源，然后加入无水乙醇，在室温下以200r/min～350r/min的速度球磨10h～14h得到浆料；

步骤二、将步骤一得到的浆料静置6h～8h后，在80℃干燥30min，得到干燥物料；

步骤三、将步骤二得到的干燥物料置于温度为1200℃～1350℃的条件下煅烧3h～6h，煅烧结束后，冷却、研磨、过筛得到Sr_(2-x)Ln_xSiO₄粉末，该粉末即为雷达吸波材料；

步骤四、使用等离子喷涂技术将步骤三得到的Sr_(2-x)Ln_xSiO₄粉末喷涂在高温合金基材表面形成半固化的吸波涂层；

步骤五、最后将步骤四半固化的吸波涂层置于900℃～1000℃下煅烧4h～6h后，即得到固化后的吸波涂层。

4.根据权利要求3所述的一种制备吸波涂层的方法，其特征在于，所述锶源为SrCO₃或Sr(NO₃)₂，镧源为Ln₂O₃、Ln₂(CO₃)₃或Ln(NO₃)₃，硅源为SiO₂。

5.根据权利要求4所述的一种制备吸波涂层的方法，其特征在于，当使用Ln₂O₃或Ln₂(CO₃)₃作为镧源时，锶源、镧源和硅源的摩尔比为锶源：镧源：硅源＝(2-x)：x/2：1；

当使用Ln(NO₃)₃作为镧源时，锶源、镧源和硅源的摩尔比为锶源：镧源：硅源＝(2-x)：x：1。

6.根据权利要求3所述的一种制备吸波涂层的方法，其特征在于，所述步骤三过筛后得到Sr_(2-x)Ln_xSiO₄粉末粒径为40μm～90μm，以便用于等离子喷涂作业。

7.根据权利要求3所述的一种制备吸波涂层的方法，其特征在于，所述步骤四等离子喷涂时，使用氩气和氮气作为工作气体，其参数设置为：氩气流量为30L/min～40L/min，氮气流量为5L/min～10L/min，喷涂电压为30V～32V，喷涂电流为200A～240A，喷涂距离为80mm～120mm，载气量为5L/min～8L/min，送粉速率为50g/min～100g/min，喷涂角度为90°。

8.根据权利要求3所述的一种制备吸波涂层的方法，其特征在于，所述步骤五中固化后的吸波涂层厚度为1.10mm～1.55mm。

9.一种如权利要求1或2所述的雷达吸波材料的应用，其特征在于，将所属雷达吸波材料作为隐身涂层原料，对需隐身的基体表面进行等离子喷涂以形成吸波涂层，用于雷达伪装。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述基底为金属基板，在应用之前，先对金属基板进行喷砂和清洁处理。