[发明专利]一种储能系统在审
| 申请号: | 202211303020.7 | 申请日: | 2022-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN115663865A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 于浩;邢宇;刘雨佳;杨子康;李博超;马晨璨;王皓;崔欣欣;张小铮;杨林;王含 | 申请(专利权)人: | 北京和瑞储能科技有限公司 |
| 主分类号: | H02J3/32 | 分类号: | H02J3/32;H02J3/38;H02J7/00;H02J7/06;H02M7/797;H02M3/158;H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 刘彦平 |
| 地址: | 102209 北京市昌平区未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 系统 | ||
1.一种储能系统,其特征在于,包括:储能变流器和铁-铬液流电池,
所述储能变流器的一端连接于铁-铬液流电池,另一端连接于电网;
所述储能变流器包括DC/DC变换器和AC/DC变换器,所述DC/DC变换器与AC/DC变换器共直流母线连接,用于对所述铁-铬液流电池进行充放电控制。
2.根据权利要求1所述的储能系统,其特征在于,所述储能变流器包括依次连接的直流电源避雷器、直流主开关、直流电源EMI滤波器、功率模块、电感、交流电源EMI滤波器、交流主开关和交流电源避雷器。
3.根据权利要求2所述的储能系统,其特征在于,所述功率模块采用T型三电平拓扑结构。
4.根据权利要求3所述的储能系统,其特征在于,所述T型三电平拓扑结构包括IGBT管T1、IGBT管T2、IGBT管T3、IGBT管T4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、直流支撑电容C1和直流支撑电容C2;
所述IGBT管T1反并联二极管D1,所述IGBT管T2反并联二极管D2,所述IGBT管T2反并联二极管D2,所述IGBT管T2反并联二极管D2;
所述IGBT管T1和IGBT管T4串联,所述IGBT管T1和IGBT管T4的中点连接于串联的IGBT管T2和IGBT管T3的一端;
所述直流支撑电容C1和直流支撑电容C2串联,所述直流支撑电容C1和直流支撑电容C2的中点连接于串联的IGBT管T2和IGBT管T3的另一端;
所述IGBT管T2和IGBT管T3的方向相反。
5.根据权利要求2所述的储能系统,其特征在于,所述储能变流器还包括直流预充电回路和交流预充电回路,所述直流预充电回路并联于直流主开关的两端,所述交流预充电回路的一端连接于直流电源EMI滤波器与功率模块之间,另一端连接于交流主开关和交流电源避雷器之间。
6.根据权利要求5所述的储能系统,其特征在于,所述直流预充电回路包括第一直流预充支路和第二直流预充支路,所述第一直流预充支路并联在第一直流开关QF1的两端,所述第二直流预充支路并联在第二直流开关QF1′的两端。
7.根据权利要求5所述的储能系统,其特征在于,所述交流预充电回路包括三相整流器、电阻R3、开关KM和开关QF。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的储能系统,其特征在于,所述DC/DC变换器包括直流输入高压侧、直流斩波功率模块和直流输出低压侧,所述直流斩波功率模块的一端连接直流输入高压侧,另一端连接直流输出低压侧,所述直流斩波功率模块用于将所述直流输入高压侧输入的直流高压电转化为直流低压电输入至所述直流输出电压侧进行输出。
9.根据权利要求8所述的储能系统,其特征在于,所述DC/DC变换器包括三个直流电抗器、金膜电容器CL和放电电阻R1;
三个所述直流电抗器的一端分别连接于直流斩波功率模块,另一端连接于金膜电容器CL的其中一端,金膜电容器CL的另一端连接于直流母线的负输入端,所述放电电阻R1并联于金膜电容器CL的两端。
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