[发明专利]一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器

权利要求书

1.一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，包括输入波导区(1)、N×2输入光耦合器(2)、第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)、2×M输出光耦合器(5)、输出波导区(6)和调制电极(7)；输入波导区(1)经N×2输入光耦合器(2)分别和第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的一端连接，第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的另一端经2×M输出光耦合器(5)和输出波导区(6)连接，第一干涉臂(3)和第二干涉臂(4)之间以及各自的外侧均设置有调制电极(7)；其特征在于：输入波导区(1)的输入波导数量与N×2输入光耦合器(2)的输入端口数量相同，输入波导区(1)的N条输入波导与N×2输入光耦合器(2)的N个输入端口分别一一对应连接，N×2输入光耦合器(2)的两个输出端口分别经第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)与2×M输出光耦合器(5)的两个输入端口相连，输出波导区(6)的输入波导数量与2×M输出光耦合器(6)的输入端口数量相同，输出波导区(6)的M条输出波导与2×M输出光耦合器(6)的M个输出端口分别一一对应连接；所述的第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)的所有波导均为宽波导。

2.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的宽波导是指宽度对制备工艺容差不敏感的波导。

3.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的第一干涉臂(3)包括依次连接的第一连接波导(3a)、第一调制波导(3b)、第二连接波导(3c)，第二干涉臂(4)包括依次连接的第三连接波导(4a)、第二调制波导(4b)、第四连接波导(4c)，N×2输入光耦合器(2)的两个输出端口分别和第一连接波导(3a)、第三连接波导(4a)连接，2×M输出光耦合器(6)的两个输入端口分别和第二连接波导(3c)、第四连接波导(4c)连接。

4.根据权利要求3所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的调制电极包括第一调制电极(7a)、第二调制电极(7b)、第三调制电极(7c)，第二调制电极(7b)布置在第一调制波导(3b)和第二调制波导(4b)之间，第一调制电极(7a)和第三调制电极(7c)分别布置在第一调制波导(3b)和第二调制波导(4b)的外侧方。

5.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的N×2输入光耦合器(2)与2×M输出光耦合器(5)完全不同，其中，当N＝1则M＝2；当N＝2则M＝1。

6.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的输入波导区(1)、N×2输入光耦合器(2)、第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)、2×M输出光耦合器(5)和输出波导区(6)的波导均采用脊形波导。

7.根据权利要求1所述的一种无偏置调控的薄膜铌酸锂马赫曾德尔电光调制器，其特征在于：所述的输入波导区(1)、N×2输入光耦合器(2)、第一干涉臂(3)、第二干涉臂(4)、2×M输出光耦合器(5)和输出波导区(6)的波导为铌酸锂波导。