[发明专利]一种5G基站壳用低介电材料及其制备方法在审
申请号: | 202211270852.3 | 申请日: | 2022-10-17 |
公开(公告)号: | CN115612297A | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 陈丽萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市米韵科技有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/34;C08G73/10;C08G83/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基站 壳用低介电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:由改性树脂液与强化填料以重量份比25-30:4-8共混复合制得;
所述的改性树脂液由如下步骤制成:
将4,4'-二氨基二苯醚、1,3-双(4'-氨基苯氧基)苯、N,N'-二氨基乙酰胺混合均匀,加入4,4'-六氟亚异丙基邻苯二甲酸酐,进行反应,加入二甲苯,升温进行反应,降至室温并加入乙醇,过滤去除滤液,将底物和双酚A型氰酸酯单体混合搅拌后,升温反应,制得改性树脂液。
2.根据权利要求1所述的一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:所述的4,4'-二氨基二苯醚、1,3-双(4'-氨基苯氧基)苯、4,4'-六氟亚异丙基邻苯二甲酸酐的用量摩尔比为1:1:2.25,底物和双酚A型氰酸酯单体的用量质量比为1:3.5。
3.根据权利要求1所述的一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:所述的强化填料由如下步骤制成:
步骤A1:将柠檬酸溶于去离子水中,加入环氧氯丙烷和氢氧化钠,进行反应后,调节反应液pH值为酸性,蒸馏去除去离子水,再过滤去除滤液,制得中间体1;
步骤A2:将纳米氮化硅分散在去离子水中,加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷和乙醇,进行反应后,过滤去除滤液,将底物分散在四氢呋喃中,加入中间体1并调节反应液pH值为碱性,进行反应后,调节反应液pH值为酸性,制得改性纳米碳化硅;
步骤A3:将改性纳米碳化硅、N-羟基琥珀酰亚胺、去离子水混合均匀,调节反应液pH值,进行反应后,加入金属有机框架、醋酸铅、环糊精,调节反应液pH值,进行反应后,过滤去除滤液,将底物烘干,制得强化填料。
4.根据权利要求3所述的一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:步骤A1所述的柠檬酸、环氧氯丙烷、氢氧化钠的用量摩尔比为1:1:1.1。
5.根据权利要求3所述的一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:步骤A2所述的纳米氮化硅、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、中间体1的用量质量比为5:0.5:0.3。
6.根据权利要求3所述的一种5G基站壳用低介电材料,其特征在于:步骤A3所述的改性纳米碳化硅、N-羟基琥珀酰亚胺、金属有机框架、醋酸铅、环糊精的用量比为2:1.5:0.8:20:8.5。
7.根据权利要求3所述的一种5G基站壳用低介电材料的制备方法,其特征在于:具体包括如下步骤:
将改性树脂液和强化填料混合均匀,在温度为100-110℃的条件下,脱气处理2-4h后,加入模具中,升温至温度为130-150℃,进行反应1-2h后,继续升温至温度为160-180℃,进行反应2-3h后,降至室温,脱模制得低介电材料。
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