[发明专利]一种加热器及等离子刻蚀设备

说明书

本申请提供一种加热器及等离子刻蚀设备，所述加热器包括：若干连接部和若干长度不同的指状凸出部，所述若干连接部和若干指状凸出部均匀布满所述加热器；所述连接部设置在所述加热器的边缘，与所述指状凸出部交替设置，一体化连接；若干长度不同的所述指状凸出部交错排布，且分别从与所述连接部的连接端指向所述加热器的中心。本申请提供一种加热器及等离子刻蚀设备，对加热器的结构进行改进，可以提高加热器的加热效率以及温度均匀性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种加热器及等离子刻蚀设备。

背景技术

电感耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma，ICP)刻蚀技术是半导体芯片加工制造过程中的一种重要工艺。等离子刻蚀工艺由等离子刻蚀设备完成。等离子刻蚀工艺的步骤包括刻蚀气体的导入、等离子体的生成、等离子体扩散至待刻蚀样品表面、等离子体在待刻蚀表面的扩散、等离子体与表面物质的反应以及反应产物的解吸附并排出等过程。在这个过程中，为了保证刻蚀过程的效率及稳定性，等离子体的状态十分重要。其中加热器产生的稳定热量传输到刻蚀气体上对于等离子体的产生起到关键作用。

然而目前的等离子体刻蚀设备中的加热器存在加热效率低以及温度均匀性较差等问题。因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，提高加热器的加热效率以及温度均匀性。

发明内容

本申请提供一种加热器及等离子刻蚀设备，可以提高加热器的加热效率以及温度均匀性。

本申请的一个方面提供一种加热器，用于等离子刻蚀设备，包括：若干连接部和若干长度不同的指状凸出部，所述若干连接部和若干指状凸出部均匀布满所述加热器；所述连接部设置在所述加热器的边缘，与所述指状凸出部交替设置，一体化连接；若干长度不同的所述指状凸出部交错排布，且分别从与所述连接部的连接端指向所述加热器的中心。

在本申请的一些实施例中，所述若干连接部和若干长度不同的指状凸出部规则排布，形成至少两个相同排布的加热单元。

在本申请的一些实施例中，所述指状凸出部包括第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部，每个加热单元包括一个第二凸出部以及位于所述第二凸出部两侧的两个第三凸出部和位于所述两个第三凸出部两侧的两个第一凸出部，所述加热单元为以所述第二凸出部为对称轴的对称结构，所述第一凸出部将所述加热器均分为不同的加热单元，相邻的加热单元共用一个第一凸出部。

在本申请的一些实施例中，所述第一凸出部的长度大于所述第二凸出部的长度大于所述第三凸出部的长度。

在本申请的一些实施例中，所述加热器的轮廓呈圆形。

在本申请的一些实施例中，所述第一凸出部的长度为所述加热器的直径的40％至50％；所述第二凸出部的长度为所述加热器的直径的20％至33％；所述第三凸出部的长度为所述加热器的直径的15％至19％。

在本申请的一些实施例中，所述加热器由至少一根金属线弯折形成，所述加热器通过所述金属线连接至电源。

在本申请的一些实施例中，所述指状凸出部为由金属线弯折而成的双层“U”字形，所述连接部为由金属线弯折而成的单层“工”字形。

在本申请的一些实施例中，在所述加热器的轮廓图形中，所述金属线的轮廓的面积为所述加热器的轮廓面积的85％至95％。

本申请的另一个方面提供一种等离子刻蚀设备，包括：反应腔；承载台，设置于所述反应腔底部，用于承载晶圆；如上述所述的加热器，设置于所述反应腔上部，位于所述承载台正上方，所述加热器的尺寸与所述反应腔的尺寸匹配。

本申请提供一种加热器及等离子刻蚀设备，对加热器的结构进行改进，可以提高加热器的加热效率以及温度均匀性。

附图说明