[发明专利]非本征光纤法布里珀罗温压传感器及其制备方法

权利要求书

1.非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，包括多芯光纤、不掺杂硅柱和掺杂硅柱，所述不掺杂硅柱在红外光下透光，所述掺杂硅柱在红外光下不透光；

所述多芯光纤包括平行设置的第一纤芯和第二纤芯，所述第一纤芯的右端面与所述不掺杂硅柱的左端面接触，所述第二纤芯的右端面与所述不掺杂硅柱的左端面不接触，以在所述第一纤芯的右端面与所述不掺杂硅柱的右端面之间形成硅法布里珀罗干涉腔；

所述不掺杂硅柱的右端面与所述掺杂硅柱的左端面连接，所述第二纤芯的右端面与所述掺杂硅柱的左端面不接触，以在第二纤芯的右端面与所述掺杂硅柱的左端面之间形成开放式空气法布里珀罗干涉腔。

2.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述开放式空气法布里珀罗干涉腔用于避免真空条件下传感器因内部气压不平衡导致的测量误差。

3.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述不掺杂硅柱呈圆柱状，所述不掺杂硅柱的端面直径大于10um，所述不掺杂硅柱的高度为1-1000um，所述不掺杂硅柱的上、下两个端面均为光滑面，且用作传感器的反射面。

4.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述掺杂硅柱呈圆柱状，所述掺杂硅柱的端面直径大于10um，所述掺杂硅柱的高度为1-1000 um，所述掺杂硅柱的上、下两个端面均为光滑面，且用作传感器的反射面。

5.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述多芯光纤的右端面与所述不掺杂硅柱的左端面熔接或通过高温胶连接。

6.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述不掺杂硅柱的右端面与所述掺杂硅柱的左端面熔接或通过高温胶连接。

7.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述硅法布里珀罗干涉腔内填充单晶硅。

8.根据权利要求1所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，其特征在于，所述开放式空气法布里珀罗干涉腔内填充空气。

9.非本征光纤法布里珀罗温压传感器的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-8任一项所述的非本征光纤法布里珀罗温压传感器，包括：

S1、组装ASE光源、光谱仪、光纤环形器、1*2光开关以及多芯光纤，以构成传感器制备工具；

其中，所述光纤环形器具有朝向不同的1口、2口和3口，所述ASE光源朝向所述第1开口设置，所述1*2光开关朝向所述2口设置，所述光谱仪朝向所述3口设置，所述1*2光开关背离所述光纤环形器的一侧设置所述多芯光纤，所述ASE光源发出的宽带光，依次经过单模光纤、所述1口、所述2口后，选择性的进入所述多芯光纤的至少一根纤芯内；

S2、去除所述多芯光纤右端的涂覆层，露出2-3cm的裸纤，并利用光纤切割刀将所述多芯光纤的右端切除，以使所述多芯光纤的右端形成平整端面；

S3、所述多芯光纤的平整端面蘸取高温胶，在光学显微镜下，利用光纤夹具将多芯光纤的右端面与不掺杂硅柱的左端面对齐并接触；

其中，通过观察光谱仪以确保所述多芯光纤中的第一纤芯与所述不掺杂硅柱的左端面接触，所述多芯光纤中的第二纤芯的右端面与所述不掺杂硅柱的左端面不接触，以在所述第一纤芯的右端面与所述不掺杂硅柱的右端面之间形成硅法布里珀罗干涉腔，所述第一纤芯在所述光谱仪上显示干涉光谱，所述第二纤芯在所述光谱仪上不显示干涉光谱；

S4、对所述多芯光纤与所述不掺杂硅柱之间的高温胶进行固化；

S5、高温胶固化后，所述不掺杂硅柱的右端面蘸取高温胶，在光学显微镜下，利用光纤夹具将所述不掺杂硅柱的右端面与掺杂硅柱的左端面对齐并接触；

其中，所述第二纤芯的右端面与所述掺杂硅柱的左端面相互平行，以在第二纤芯的右端面与所述掺杂硅柱的左端面之间形成开放式空气法布里珀罗干涉腔；

S6、对所述不掺杂硅柱与所述掺杂硅柱之间的高温胶进行固化，得到所述非本征光纤法布里珀罗温压传感器。