[发明专利]一种基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202211266356.0 申请日: 2022-10-17
公开(公告)号: CN115505137B 公开(公告)日: 2023-09-15
发明(设计)人: 李敏;武海鹏;郭博瑞 申请(专利权)人: 晋中学院
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00;H01F1/42
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 030619 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 苯乙烯 二羧酸 多维 镝基单 分子 磁体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1. 一种基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体,其特征在于,所述单分子磁体的结构简式为Dy(SDA)(HCOO),其中SDA代表二苯乙烯二羧酸脱质子阴离子,HCOO代表甲酸根阴离子;其结晶于单斜晶系,属于P21/c空间群,晶胞参数为:a =1.70761(3) nm、b =1.26957(2) nm、c = 0.687290(10) nm、α = γ = 90°、β = 93.4730(10)°、V =1.48726(4) nm3、ρ = 2.116 g·m-3、μ = 27.18 mm-1、F (000) = 908;

所述单分子磁体的中心镝离子与四个不同的SDA配体的羧酸氧单齿配位、两个不同的甲酸氧单齿配位和一个甲酸根螯合配位,使得镝离子形成了八配位的十二面体构型;每两个镝离子呈中心对称,通过两个µ2ƞ1:ƞ1形式的SDA配体和两个µ3-ƞ2:ƞ2形式的HCOO阴离子桥联连接,形成了一个{Dy2}中心;相邻的{Dy2}中心通过一个扭曲的µ2-ƞ1:ƞ1形式的SDA配体和一个µ2-ƞ1:ƞ2形式的HCOO阴离子连接,交替形成了二维金属层结构;柱状SDA配体上的羧酸氧原子在轴向位置把相邻的二维层连接起来,从而组装成三维层柱状结构。

2.一种权利要求1所述的基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体的制备方法,其特征在于,将六水合氯化镝和4,4-二苯乙烯二羧酸加入N,N-二甲基甲酰胺和蒸馏水的混合液中,并加入三乙胺,在高压反应釜中140~145℃密闭反应60~84h,随后按照3~5℃/h的速度冷却到室温,过滤、洗涤、收集淡黄色块状晶体,得到基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体。

3.根据权利要求2所述的基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述六水合氯化镝与4,4-二苯乙烯二羧酸、三乙胺的摩尔比为1:1~1.5:2~3。

4.根据权利要求2所述的基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述N,N-二甲基甲酰胺和蒸馏水的体积比为1:1~1.5。

5.根据权利要求2所述的基于二苯乙烯二羧酸的多维镝基单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述三乙胺与N,N-二甲基甲酰胺的加料比为1mmol:8~12mL。

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