[发明专利]快速搜索阈值电压的方法、装置、存储介质及SSD设备有效
| 申请号: | 202211259909.X | 申请日: | 2022-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN115565587B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
| 发明(设计)人: | 胡靖予;周后理;吴德全;刘晓健 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G06F17/10 |
| 代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
| 地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 快速 搜索 阈值 电压 方法 装置 存储 介质 ssd 设备 | ||
1.一种快速搜索阈值电压的方法,其特征在于,所述方法包括:
在对一个Read Level的最优阈值电压进行追踪过程中,根据存储单元的阈值电压的呈高斯分布的特性,预测初始搜索时刻的初始最优阈值电压;
获取所述初始最优阈值电压相对默认电平的初始偏移值;
在下一搜索时刻,以所述初始偏移值为中心的预设搜索范围内搜索当前时刻的最优偏移值,以得到当前时刻的最优阈值电压;
根据预设的最大的Vt偏移速率乘以阈值电压搜索的采样时间间隔确定扫描区间n;
所述以所述初始偏移值为中心的预设搜索范围为以初始偏移值为中点在前后取±n的范围。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据存储单元的阈值电压的呈高斯分布的特性,预测初始搜索时刻的初始最优阈值电压包括:
预先构建阈值电压的高斯分布模型;
以预设的两个阈值电压读取存储单元中的预设数据,获取预设的两个阈值电压对应的读数据的bit翻转个数;
根据预设的两个阈值电压以及对应的读数据的bit翻转个数计算所述高斯分布模型的参数,得到存储单元的阈值电压的高斯分布函数;
采用所述高斯分布函数预测所述初始最优阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述高斯分布模型如下所示:
;其中,μ和σ为所述高斯分布模型的参数,x为阈值电压,为采用阈值电压x读数据时对应的bit翻转个数。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在任一搜索时刻,以上一搜索时刻对应的最优偏移值为中心的预设搜索范围内搜索当前时刻的最优偏移值,以得到当前时刻的最优阈值电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述最优偏移值为中心的预设搜索范围为以最优偏移值为中点在前后取±n的范围。
6.一种快速搜索阈值电压的装置,其特征在于,所述装置包括:
预测模块,用于在对一个Read Level的最优阈值电压进行追踪过程中,根据存储单元的阈值电压的呈高斯分布的特性,预测初始搜索时刻的初始最优阈值电压;
获取模块,用于获取所述初始最优阈值电压相对默认电平的初始偏移值;
搜索模块,用于在下一搜索时刻,以所述初始偏移值为中心的预设搜索范围内搜索当前时刻的最优偏移值,以得到当前时刻的最优阈值电压;
配置模块,根据预设的最大的Vt偏移速率乘以阈值电压搜索的采样时间间隔确定扫描区间n;
其中,所述以所述初始偏移值为中心的预设搜索范围为以初始偏移值为中点在前后取±n的范围。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述预测模块包括:
模型构建单元,用于预先构建阈值电压的高斯分布模型;
获取单元,用于以预设的两个阈值电压读取存储单元中的预设数据,获取预设的两个阈值电压对应的读数据的bit翻转个数;
计算单元,用于根据预设的两个阈值电压以及对应的读数据的bit翻转个数计算所述高斯分布模型的参数,得到存储单元的阈值电压的高斯分布函数;
预测单元,用于采用所述高斯分布函数预测所述初始最优阈值电压。
8.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-5任一项所述方法的步骤。
9.一种SSD设备,其特征在于,包括存储控制器,所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-5任一项所述方法的步骤。
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