[发明专利]一种光刻胶的涂布方法

说明书

本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括将待涂胶的晶圆进行预处理；采用动态涂胶方法在晶圆表面喷涂光刻胶以形成沿圆周方向由外到里的蚊香式光刻胶，并在晶圆的中心喷涂光刻胶；涂胶完成后，控制晶圆转动，令光刻胶成膜；对晶圆进行清洗和去边；将晶圆快速甩干。本发明解决了现有涂胶方式光刻胶易堆积在晶圆中心、光刻胶膜厚均匀性差的问题，改善了光刻胶膜厚均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻胶的涂布方法。

背景技术

在集成电路制造工艺中，光刻工艺是芯片图形形成最重要的组成部分。光刻图形形成的主要步骤是涂胶、曝光和显影。每一步都很重要，缺一不可。其中，涂胶工艺中光刻胶膜厚的均匀性直接影响到图形质量，因此改善膜厚均匀性至关重要。

传统的涂胶方式主要是将光刻胶滴在晶圆中心，利用高速旋转产生的离心力将光刻胶涂覆至整个晶圆表面。然而，这种涂胶方式，由于晶圆中心离心力较弱，使得光刻胶难以甩出，容易堆积在晶圆中心，导致光刻胶整体膜厚均匀性变差。尤其对于高粘度光刻胶，这一问题会更加严重。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种光刻胶的涂布方法，用以解决现有涂胶方式光刻胶易堆积在晶圆中心、光刻胶膜厚均匀性差的问题。

本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括以下步骤：

步骤一、将待涂胶的晶圆进行预处理；

步骤二、采用动态涂胶方法在所述晶圆表面喷涂光刻胶以形成沿圆周方向由外到里的蚊香式光刻胶，并在所述晶圆的中心喷涂光刻胶；

步骤三、涂胶完成后，控制所述晶圆转动，令所述光刻胶成膜；

步骤四、对所述晶圆进行清洗和去边；

步骤五、将所述晶圆快速甩干。

优选地，步骤一中所述预处理包括黏附剂的涂覆。

优选地，所述黏附剂的涂覆采用浸泡或者喷雾的方法。

优选地，步骤二中采用滴胶装置进行所述光刻胶的喷涂。

优选地，所述滴胶装置从晶圆的边缘朝所述晶圆的中心移动时滴胶。

优选地，所述滴胶装置在所述晶圆边缘的某一处完成滴胶后，接着呈螺旋状移动至所述晶圆的中心。

优选地，步骤三包括：涂胶完成后，控制所述晶圆逐渐加速转动，令所述光刻胶成膜。

优选地，所述方法还适用于高粘度光刻胶。

本发明对传统的涂胶方式进行改进，采用动态涂胶方法在晶圆表面喷涂沿圆周方向由外到里的蚊香式光刻胶，使得滴胶位置分散，大部分光刻胶滴在非晶圆中心位置，这样光刻胶易于甩出，减少光刻胶堆积，改善光刻胶膜厚均匀性，而且首段光刻胶滴在晶圆外圈，容易甩出，降低了首段光刻胶对工艺的影响，减少了变性光刻胶影响。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1-图3显示为传统的涂胶方式的示意图；

图4显示为传统的涂胶方式的晶圆X方向光刻胶厚度的示意图；

图5显示为本发明实施例的光刻胶的涂布方法的流程图；

图6-图8显示为本发明实施例的光刻胶的涂布方法的示意图；

图9显示为本发明实施例的光刻胶的涂布方法的晶圆X方向光刻胶厚度的示意图。

具体实施方式