[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202211259277.7 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN115509041A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 程长江;黄怀平;吴勇勋;王芃文;林志隆;蔡嘉豪 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G09G3/36;H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包含一显示区域,其特征在于,包含:
一第一像素电路,重叠于该显示区域;
一信号线,电性连接于该第一像素电路;
一控制电路,该控制电路电性连接于该信号线,该控制电路的至少一部分重叠于该显示区域,且该控制电路的另一部分包含:
一光遮蔽层,具有一导电性;
一缓冲层,形成于该光遮蔽层上;
一多晶硅层,形成于该缓冲层上;
其中该缓冲层、该多晶硅层与该光遮蔽层形成一电容。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,包含包括多个发光二极管,重叠于该显示区域。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该信号线为一栅极控制线,且该控制电路为一栅极控制电路。
4.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,
该栅极控制线沿着一第一方向延伸,
该显示区域包括一缓冲显示区域,该缓冲显示区域沿着一第二方向延伸,该第一方向和该第二方向垂直,且该栅极控制电路重叠于该缓冲显示区域。
5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,还包含:
一第二像素电路,重叠于该显示区域,且与该第一像素电路相邻,其中该栅极控制电路重叠于该第一像素电路和该第二像素电路之间。
6.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,该栅极控制电路包括一移位电路单元和一缓冲电路单元,其中该缓冲电路单元电连接于该移位电路单元和该栅极控制线之间。
7.如权利要求6所述的电子装置,其特征在于,该缓冲电路单元重叠于该显示区域。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包含:一黑色矩阵层,其包括:
一第一光阻元件,覆盖该信号线;以及
一第二光阻元件,覆盖该控制电路的该至少一部分。
9.一种电子装置,其特征在于,包含:
一第一像素电路;
一第二像素电路,与该第一像素电路相邻;
一第三像素电路,与该第二像素电路相邻,其中该第二像素电路位于该第一像素电路与该第三像素电路之间;
一第一信号线,电性连接于该第一像素电路;
一第二信号线,电性连接于该第二像素电路;
一第三信号线,电性连接于该第三像素电路,以及
一缓冲电路单元,位于该第一像素电路与该第二像素电路之间,
其中该第一像素电路的至少一部分与该第二像素电路的至少一部分位于该第一信号线与该第二信号线之间,且
该第二信号线与该第三信号线位于该第二像素电路与该第三像素电路之间。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,还包含:一移位电路单元,包含:
一光遮蔽层,具有一导电性;
一缓冲层,形成于该光遮蔽层上;以及
一多晶硅层,形成于该缓冲层上,
其中该缓冲层、该多晶硅层与该光遮蔽层形成一电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211259277.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。