[发明专利]低压差线性稳压器及控制方法在审

专利信息
申请号: 202211247293.4 申请日: 2022-10-12
公开(公告)号: CN115562418A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 王勇;蔡化;夏天;陈正 申请(专利权)人: 成都微光集电科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 吴浩
地址: 610399 四川省成都市高新区和乐二*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 低压 线性 稳压器 控制 方法
【说明书】:

发明提供了一种低压差线性稳压器,包括基础稳压器电路、开关单元和负载,所述负载的一端与所述基础稳压器电路的输出端连接,所述负载的另一端连接负载地,所述开关单元与所述基础稳压器电路连接,所述开关单元用于使所述基础稳压器电路的第一输入端处存储失调电压和基准电压,然后将所述基础稳压器电路的第一输入端和第二输入端的功能对调,以抵消所述第一输入端处的失调电压,从而降低了输入失调电压的影响。本发明还提供了一种低压差线性稳压器的控制方法。

技术领域

本发明涉及低压差稳压器技术领域,尤其涉及一种低压差线性稳压器及控制方法。

背景技术

低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)在各类电子元器件中有着十分广泛的应用,主要用于向模拟或数字电路提供所需要的电源。由于LDO可完全实现片上集成,在芯片设计中使用非常频繁。随着芯片集成度的不断提高,各类应用对其性能的要求也越来越高,不仅要求其具有较小的面积,同时还要实现低功耗、高性能。尤其是在射频系统级芯片(System on Chip,SOC)应用中,LDO不仅需要对数字电路供电,甚至还需要对高频射频模块供电,这对LDO的设计提出了挑战。但现有技术中的LDO中的噪声和失调过大。

因此,有必要提供一种新型的低压差线性稳压器及控制方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器及控制方法,降低输入失调电压的影响。

为实现上述目的,本发明的所述低压差线性稳压器,包括基础稳压器电路、开关单元和负载,所述负载的一端与所述基础稳压器电路的输出端连接,所述负载的另一端连接负载地,所述开关单元与所述基础稳压器电路连接,所述开关单元用于使所述基础稳压器电路的第一输入端处存储失调电压和基准电压,然后将所述基础稳压器电路的第一输入端和第二输入端的功能对调,以抵消所述第一输入端处的失调电压。

所述低压差线性稳压器的有益效果在于:所述负载的另一端连接负载地,所述开关单元与所述基础稳压器电路连接,所述开关单元用于使所述基础稳压器电路的第一输入端处存储失调电压和基准电压,然后将所述基础稳压器电路的第一输入端和第二输入端的功能对调,以抵消所述第一输入端处的失调电压,从而降低了输入失调电压的影响。

可选地,所述基础稳压器电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、采样电容和开关单元,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均接电源电压,所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极连接,所述第一NMOS管的栅极与所述采样电容的一端连接,作为所述基础稳压器电路的第一端,所述第三NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极连接,作为所述基础稳压器电路的第二端,所述第三NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极均接负载地。

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