[发明专利]低压差线性稳压器及控制方法

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括基础稳压器电路、开关单元和负载，所述负载的一端与所述基础稳压器电路的输出端连接，所述负载的另一端连接负载地，所述开关单元与所述基础稳压器电路连接，所述开关单元用于使所述基础稳压器电路的第一输入端处存储失调电压和基准电压，然后将所述基础稳压器电路的第一输入端和第二输入端的功能对调，以抵消所述第一输入端处的失调电压。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述基础稳压器电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、采样电容和开关单元，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均接电源电压，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述采样电容的一端连接，作为所述基础稳压器电路的第一端，所述第三NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极连接，作为所述基础稳压器电路的第二端，所述第三NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极均接负载地。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述开关单元包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第四开关、第五开关、第六开关、第七开关和第八开关，所述第一开关的一端和所述第八开关的一端均与所述采样电容的另一端连接，所述第一开关的另一端与基准地连接，所述第八开关的另一端接负载地，所述第二开关的一端与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第二开关的另一端接驱动电压，所述第三开关的一端和所述第四开关的一端均与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第三开关的另一端接基准电压，所述第四开关的另一端与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第五开关的一端与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第五开关的另一端与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第六开关的一端与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第六开关的另一端与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第七开关的一端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第七开关的另一端接基准电压。

4.根据权利要求2或3所述的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括对地电容，所述对地电容的第一端与所述第四NMOS管的栅极连接，所述对地电容的另一端接负载地。

5.一种如权利要求1所述低压差线性稳压器的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：所述开关单元使所述基础稳压器电路的第一输入端处存储失调电压和基准电压；

S2：所述开关单元使所述基础稳压器电路的第一输入端和第二输入端的功能对调，以抵消所述第一输入端处的失调电压。

6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器的控制方法，其特征在于，所述基础稳压器电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、采样电容和开关单元，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均接电源电压，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述采样电容的一端连接，作为所述基础稳压器电路的第一端，所述第三NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极连接，作为所述基础稳压器电路的第二端，所述负载的一端与所述第四NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极均接负载地。