[发明专利]生产单晶硅还原炉及其生产方法

说明书

本发明公开了生产单晶硅还原炉及其生产方法，涉及单晶炉技术领域，包括单晶硅炉主体，所述单晶硅炉主体的底部固定套接有固定架，所述固定架顶部的一端设置有控制面板，所述单晶硅炉主体的顶部固定安装有物料箱，所述单晶硅炉主体包括防护机构和密封机构，所述密封机构的底部设置在防护机构的顶部。本发明通过保温罩、保温垫和保温板相互配合，在设备高温加热时，利用保温罩的隔热性，达到设备保温防护的功能，然后再利用保温垫和保温板对设备顶部进行隔热，达到二次保温防护的功能，避免热量消散太快，影响设备加工效率的问题，有利于装置增加保温功能，提高装置工作效率，达到节省资源的功能。

技术领域

本发明涉及单晶炉技术领域，具体涉及生产单晶硅还原炉及其生产方法。

背景技术

单晶硅是制作太阳能电池的主要原料，目前常用的生产工艺为直拉法。直拉法是在单晶炉热场内，向熔融的原料中浸入籽晶，依次经历引晶、放肩等径及收尾等阶段，生长提拉出整根的单晶棒。热场中主要包括保温筒、保温盖以及热屏等部件，主要为石墨、碳碳等非金属材质。由于某些金属具有熔点高、导热率高等特点，能够增强热场的保温性，减少拉晶断棱概率等，近年来某些金属作为热场部件或热场涂层等也被广泛应用。

现有的技术方案中，提出了公开号：CN215209690U，该文献所公开的技术方案如下：一种单晶硅生产用单晶炉，包括炉体，所述炉体内设有坩埚组件、加热组件和保温组件，所述保温组件包括内部保温筒、外部保温筒和底部保温层，所述外部保温筒置于所述炉体的内侧壁且该外部保温筒套设于所述内部保温筒，所述底部保温层位于炉体的底盘上，且该底部保温层的四周壁贴合于所述内部保温筒，所述加热组件包括侧部加热器和底部加热器，所述侧部加热器位于坩埚组件与内部保温筒之间，所述底部加热器位于坩埚组件与底部保温层之间，所述侧部加热器和底部加热器通过石墨螺母连接于石墨电极。

为了解决设备内部加热不均匀，影响设备工作效率的问题，现有技术是采用加热时可以同时对坩埚组件的侧壁和底部进行加热，加热面积大，加快了坩埚内硅料的熔化速度，且对硅料的加热更加地均匀的方式进行处理，但是还会出现热量消散太快，影响设备加工效率的情况，进而导致资源浪费的问题。

发明内容

本发明提供生产单晶硅还原炉及其生产方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：

第一方面，本发明提供生产单晶硅还原炉，包括单晶硅炉主体，所述单晶硅炉主体的底部固定套接有固定架，所述固定架顶部的一端设置有控制面板，所述单晶硅炉主体的顶部固定安装有物料箱。

所述单晶硅炉主体包括防护机构和密封机构，所述密封机构的底部设置在防护机构的顶部。

所述单晶硅炉主体底部的两侧设置有的电极护套，所述电极护套的内壁开设有滑动槽，所述滑动槽的内部活动安装有电极主体，所述电极护套包括连接机构和紧压机构，所述紧压机构的外侧设置在连接机构的内侧。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述防护机构包括保温罩，所述保温罩的内侧设置有石英坩埚，所述石英坩埚的顶部设置有保温垫，所述保温垫的顶部固定安装有保温板，所述保温板的顶部设置有上顶盖，所述上顶盖的顶部设置在物料箱的底部。

采用上述技术方案，通过保温罩、保温垫和相互配合，达到增加设备内部保温功能。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述密封机构包括密封垫圈，所述密封垫圈的底部设置有卡接垫圈，所述密封垫圈的内侧设置有橡胶防护垫，所述橡胶防护垫的底部设置有加热板，所述加热板的外侧设置在保温罩的内部。

采用上述技术方案，通过密封垫圈和加热板相互配合，达到密封防护的功能。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述石英坩埚的底部设置有拖板，所述拖板的底部活动安装有支撑拖柱。