[发明专利]一种生成静态最优电压值表的方法

说明书

本发明公开一种生成静态最优电压值表的方法，本方法归纳SSD从寿命初期到末期所有影响到NAND的因素，将多个SSD进行加速磨损，以观察SSD从寿命初期到末期NAND所经历的变化，在一定寿命时期，混合其他影响因素，使用不同NAND电压读取每个block内所有页数据，统一分析出适合该条件下的最佳电压值。重复上述过程，找出任何条件下的最佳电压值。本发明通过模拟SSD实际运行环境经过大量Block内数据采集得到最优电压值表，SSD内根据当前所处于的环境查找该静态表内对应的电压值进行纠错处理，降低了系统资源需求以及简化固件操作流程，提升系统读性能。

技术领域

本发明涉及存储领域，具体是一种生成静态最优电压值表的方法。

背景技术

NAND Flash由于自身存储单元特性在不同环境下进行读取操作会因为电压偏移而产生较多错误位数，因此使用合适的电压读取成为消除影响的方法。静态生成合适电压表有利于降低CPU资源以及软件设计。

静态生成方法是根据NAND Flash在SSD各类环境下的最优电压值，形成可根据影响条件查找的电压值表，在程序中表示为多维数组，该方法的电压值适配多数Block且使用简便，有利于提升SSD读取性能；但要求模拟环境准确，测试足够多Block，且需多次验证。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提高一种生成静态最优电压值表的方法，基于该方法，生成一张包含各种影响因素下适合大多数Block的电压值表，减少系统资源损耗，提升读取性能。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种生成静态最优电压值表的方法，包括以下步骤：

S01）、磨损多个SSD，在每个SSD的每个寿命阶段，施加影响到nand的其他因素；

S02）、在每个寿命阶段及其他影响因素下，使用shift read命令以NAND不同电压读取所有block；统计每页数据内数据为0的总数、数据为1的总数、数据0变为数据1的总数以及该页总错误数，从而得到该block的所有数据信息；

S03）、统一分析步骤S02)得到的block所有数据信息，具体分析数据0变为1的个数以及总错误数，根据电压变化查找数据0变为1的总数和数据1变为0的总数，在两者持平时为适合该block的最佳电压值；

S04）、采用步骤S03）分析所有block数据，得到每个block在每个寿命阶段各种影响因素下的最佳电压值；

S05）、汇总每个寿命阶段每个条件下所有block的最佳电压值，查找出适配所有block最好的电压值，这样便得到该条件下的最佳电压值；

S06）、结合每个寿命阶段各个影响因素与S05）查找到的最佳电压值，绘制为二维表，横坐标为寿命阶段，纵坐标为其他影响因素，生成最优电压值表。

进一步的，步骤S02）中，根据芯片手册确定读取block的电压。

进一步的，读取block的电压为±32。

进一步的，所述最优电压值表为普适电压值表。

进一步的，还包括步骤S07）：抽样验证，在本次测试数据内随机抽取某一模拟环境下Block，验证最终选取的电压值是否满足需求。

进一步的，还包括步骤S07）：完整验证，重新选取多个Block再次进行环境模拟，达到指定条件后使用选定的电压值进行读取，查看错误位数是否满足需求，最终在SSD内进行实盘验证。

进一步的，其他影响因素包括数据驻留时长、读写干扰、温度跨越。

本发明的有益效果：通过本专利描述的方法，可以通过模拟SSD实际运行环境经过大量Block内数据采集得到最优电压值表，SSD内根据当前所处于的环境查找该静态表内对应的电压值进行纠错处理，降低了系统资源需求以及简化固件操作流程，提升系统读性能。

附图说明