[发明专利]一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺

权利要求书

1.一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，包括：

在LTCC基板正反面根据不同的功能单元设置有多个第一焊接区域；

在第一焊接区域内根据相应的功能单元设置有第一粘接区域和第二焊接区域；

在第一焊接区域外根据相应的功能单元设置有第三焊接区域；

将射频芯片焊接在钼铜散热片上形成射频器件，将射频器件和数字芯片粘接在第一粘接区域；

将片式电容、片式电阻焊接在第二焊接区域，将片式电感焊接第三焊接区域；

将金属围框的延伸脚粘接在钼铜垫片上形成围框单元，将围框单元粘接在LTCC基板上并保证金属围框与第一焊接区域重合；

将金属围栏底部焊接在第一焊接区域，将金属围栏相应的金属盖板焊接在金属围栏顶部。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述金属围框和金属盖板均采用可伐合金4J29制成，且所述金属围框表面电镀4μm-8μm厚度的镍以及1.3μm-3μm厚度的金；所述LTCC基板采用低温共烧生瓷片Dupont951制成。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述将射频芯片焊接在钼铜散热片上包括：

采用25μm～30μm厚度的Au80Sn20焊片作为焊接材料，通过真空共晶焊炉将射频芯片焊接在钼铜散热片上，焊透率≥90％，焊层厚度为5μm～15μm。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述将射频器件和数字芯片粘接在第一粘接区域包括：

采用H20E导电银胶将射频器件和数字芯片粘接在第一粘接区域。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述将金属围框的延伸脚粘接在钼铜垫片上包括：

采用贴片红胶将将金属围框的延伸脚粘接在钼铜垫片上，固化温度为150℃，固化时间为15min，且固化后金属围框的延伸脚与钼铜垫片底部距离为1.11mm-1.14mm。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述将片式电容、片式电阻焊接在第二焊接区域、所述将片式电感焊接第三焊接区域、所述将金属围栏底部焊接在第一焊接区域，均采用63Sn37Pb焊膏或62Sn36Pb2Ag焊膏作为焊接材料，通过红外线再流焊一次焊接完成，焊透率≥75％，焊层厚度为1μm～5μm。

7.根据权利要求1所述的一种大尺寸双面LTCC多腔体气密封装工艺，其特征在于，所述将金属围栏相应的金属盖板焊接在金属围栏顶部包括：

采集激光封焊将金属围栏相应的金属盖板焊接在金属围栏顶部。