[发明专利]电流镜在审
| 申请号： | 202211207132.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115543009A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈静;刘玉兰;胡一波;任志鹏;尹伊哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 | ||
【权利要求书】：
1.一种电流镜，包括参考端晶体管和输出端晶体管，两晶体管的栅极相互连接，源极均接电路的最低电位或最高电位，参考端晶体管的漏极为电流镜的电流输入端，输出端晶体管的漏极为电流镜的电流输出端；
其特征在于，还包括一电压运算放大器，所述电压运算放大器的正输入端与电流镜的电流输入端连接，负输入端与电流镜的电流输出端连接，输出端与两晶体管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的电流镜，其特征在于，所述电流镜的参考端晶体管和输出端晶体管均为NMOS晶体管，源极均接电路的最低电位。
3.根据权利要求1所述的电流镜，其特征在于，所述电流镜的参考端晶体管和输出端晶体管均为PMOS晶体管，源极均接电路的最高电位。
4.根据权利要求1所述的电流镜，其特征在于，所述最低电位为地。
5.根据权利要求1所述的电流镜，其特征在于，所述最高电位为电源。
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