[发明专利]具有可编程解剖和流成像的超声成像装置

权利要求书

1.一种成像装置，包括：

换能器，包括用于生成压力波并接收压力信号的压电元件；

低噪声放大器（LNA），用于将所述换能器中的改变转换成电压输出并放大所接收的压力信号；以及

发射/接收开关，用于选择性地在接收操作期间将所述压电元件耦合到所述LNA以及在发射操作期间将所述压电元件从所述LNA解耦。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述LNA包括：偏置电流输入，用于改变所述LNA的跨导以减小所述LNA的噪声。

3.根据权利要求2所述的成像装置，其中所述偏置电流输入的较高电流水平减小所述LNA的噪声水平。

4.根据权利要求2所述的成像装置，其中所述LNA进一步包括：数字断电输入，用于关闭所述LNA。

5.根据权利要求2所述的成像装置，其中所述成像装置进一步包括：快速上电偏置电路，耦合到所述LNA的偏置电流输入，以在所述LNA上电期间建立所述偏置电流输入的值。

6.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述LNA包括：

运算放大器；

一组电容器和电阻器，其由开关集合电子地选择，所述一组电容器和电阻器跨所述运算放大器的反相输入和输出而连接。

7.根据权利要求6所述的成像装置，其中所述LNA的信号增益是换能器电容除以根据所述一组电容器和电阻器中的所选择的电容器和所选择的电阻器而确定的反馈电容的比值。

8.根据权利要求6所述的成像装置，进一步包括：偏置电压，用于确保跨所述换能器的电场极性不改变。

9.一种成像装置，包括：

换能器，包括：

第一基板和第二基板；

膜片，耦合到所述第一基板和所述第二基板；

第一电极，被设置在所述膜片上；

压电材料，被设置在所述第一电极上；以及

第二电极，被设置在所述压电材料上；

专用集成电路（ASIC），包括：

公共端子；以及

发射或接收端子；

第一柱，耦合到所述第一基板和所述ASIC的公共端子；以及

第二柱，耦合到所述第二基板和所述ASIC的发射或接收端子。

10.根据权利要求9所述的成像装置，进一步包括：

第一导线，将所述第一电极连接到所述第一柱；以及

第二导线，将所述第二电极连接到所述第二柱。

11.根据权利要求9所述的成像装置，其中所述第一柱和所述第二柱在所述换能器与所述ASIC之间形成空间。

12.根据权利要求9所述的成像装置，进一步包括所述换能器的面向所述ASIC的表面上的涂层，所述涂层用于吸收或衰减沿所述ASIC的方向从所述换能器行进的声能。

13.根据权利要求9所述的成像装置，进一步包括：吸声层，附接在所述ASIC下面以吸收从所述换能器行进通过所述ASIC的声能。

14.根据权利要求9所述的成像装置，其中所述膜片是在与所述第一基板和所述第二基板相比的声学阻抗不匹配的情况下制成的，其中所述声学阻抗不匹配破坏相邻元件之间的声耦合。