[发明专利]一种超薄Eu3 +

权利要求书

1.一种超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将Cd(NO₃)₂^.4H₂O、4,4'-二羧基二苯醚和2,2'-联吡啶以1:1:1 ~6:1:1的摩尔比溶解于偏碱性的水中，在100℃~160℃下反应8~24小时后得到白色沉淀；

（2）将所得白色沉淀用N,N-二甲基甲酰胺、乙醇、水洗涤后置于含有Eu^3 +的溶液中反应6~24小时；

（3）随后在溶剂中超声剥离4~48小时后，低速离心后取上层清液；

（4）将上层清液减压除去有机溶剂，分离后得到Eu³⁺@Cd-MOFs纳米片。

2.根据权利要求1所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中的水的pH范围8 ~ 10，调节pH范围用到的试剂为NaOH或KOH。

3.根据权利要求1所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的含Eu^3 +溶液的溶质为EuCl₃或Eu(NO₃)₃。

4.根据权利要求1所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的含Eu^3 +溶液的溶剂为有机醇类、酰胺类和水，浓度为10mmol/L~ 100mmol/L。

5.根据权利要求1所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的超声时所用溶剂为有机醇类、酰胺类和水，超声时间为6~48小时。

6.根据权利要求1所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的低速离心转速为3000 ~ 4000转/分钟，离心时间为2~20分钟。

7.一种荧光Eu³⁺@Cd-MOFs纳米片溶胶，其特征在于：采用权利要求1-6中任一项所述的方法制备的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片荧光材料，分散于溶剂中。

8.根据权利要求7所述的一种荧光Eu³⁺@Cd-MOFs纳米片溶胶，其特征在于：所述溶剂选自水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丙酮、乙醚、环己烷、苯、甲苯、二氯甲烷、氯仿、乙酸乙酯中的一种。

9.荧光Eu³⁺@Cd-MOFs纳米片溶胶作为对硝基苯基磷酸酯荧光探针的应用，其特征在于：所述纳米片溶胶采用权利要求7或8所述的超薄Eu³⁺修饰的Cd-MOFs二维纳米片溶胶。