[发明专利]检测全层皮肤的手持式低梯度单边核磁共振装置在审

专利信息
申请号: 202211165917.8 申请日: 2022-09-23
公开(公告)号: CN115494437A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 贺中华;苏誉壹;陈韦旭;陈煦 申请(专利权)人: 重庆邮电大学
主分类号: G01R33/383 分类号: G01R33/383;G01R33/44
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 廖曦
地址: 400065 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 检测 皮肤 手持 梯度 单边 核磁共振 装置
【权利要求书】:

1.检测全层皮肤的手持式低梯度单边核磁共振装置,其特征在于:该装置包括:

单边永磁体结构和射频收发一体线圈(4);

所述单边永磁体结构包括三组磁铁结构;

所述三组磁铁结构分别为左侧磁铁组(1)、中间磁铁(2)和右侧磁铁组(3);

所述左侧磁铁组(1)和右侧磁铁组(3)在同一水平面;

所述中间磁铁(2)位于左侧磁铁组(1)和右侧磁铁组(3)之间,且位于左侧磁铁组(1)和右侧磁铁组的水平面下方;

所述左侧磁铁组(1)和右侧磁铁组(3)规格相同;

在XYZ坐标系中,所述左侧磁铁组(1)的磁极指向为Z方向,中间磁铁(2)的磁极指向为-Y方向,右侧磁铁组(3)的磁极指向为-Z方向;

在单边永磁体结构上方产生由左侧磁铁组(1)指向右侧磁铁组(3)的主磁场B0,磁极指向为Y方向,且在中间磁铁的几何中心区域产生均匀磁场,中间磁铁的几何中心区域为检测目标区域(5);

所述主磁场B0的磁感应强度小于等于100mT,检测目标区域(5)的中心顺垂直于磁场方向的磁场梯度G为2.96T/m;

单边永磁体结构产生的磁场分布采用有限元法计算,通过麻雀搜索算法对单边永磁体结构参数进行优化;

所述射频收发一体线圈(4)采用的是收发一体式双层平面线圈,采用时谐场逆方法和流函数法进行设计,用于产生与主磁场正交的激励射频磁场,并接收设置于检测目标区域的被测样品激发后产生的回波信号。

2.根据权利要求1所述的检测全层皮肤的手持式低梯度单边核磁共振装置,其特征在于:所述左侧磁铁组(1)和右侧磁铁组(3)的大小为:长度为25.4mm,高度为12.7mm,宽度12.7mm;所述中间磁铁(2)的大小为:长度为50.8mm,高度为12.7mm,宽度为25.4mm。

3.根据权利要求1所述的检测全层皮肤的手持式低梯度单边核磁共振装置,其特征在于:所述通过麻雀搜索算法对单边永磁体结构参数进行优化具体为:

单边永磁体结构的空间位置表示为n×d矩阵X:

其中n为永磁体结构的数量,d为永磁体结构待优化结构参数的维度;第i个永磁体结构在空间的位置是Xi=(xi,1,xi,2,…,xi,d);单边永磁体结构的适应值表示为向量FX:

麻雀搜索算法的寻优能力基于三种部分:发现者、加入者和警戒者,三者共同搜索最优永磁体结构;每一代发现者的位置更新公式如下:

其中,t表示当前迭代次数,T表示总迭代次数,表示第i个永磁体结构中第j维参数于t次迭代时的信息量,α是[0,1]的随机数,R是一个随机数表示当前的预警值,R∈[0,1],ST表示安全值,ST∈[0.5,1],Q是服从正态分布的随机数,L是一个1×dj的矩阵,dj是该磁铁组第j维参数的维度,该矩阵内每个元素全部为1;

每一代加入者的位置更新公式如下:

其中,是目前发现者所占据的最优位置,Xworst则表示当前全局最差的位置;A是一个1×d的矩阵,其中每个元素随机赋值为1或-1,并且A+=AT(AAT)-1,表示A+的第j维的值;当时,加入者将积极追随发现者向着更好的位置进行移动;当时,适应值较低的第i个加入者需要移动到其他位置,结合exp函数特性摆脱当前较差的位置以获得更好的适应值;

每一代警戒者的位置更新公式如下:

其中,其中是当前的全局最优位置;β作为步长控制参数,是服从均值为0,方差为1的正态分布的随机数;K∈[-1,1]是一个随机数,fi则是当前磁铁组的适应值;fg和fw分别是当前全局最佳和最差的适应值;ε是最小的常数,以避免分母出现零;当fifg时,表示警戒者处于边缘位置,适应值较低,需向中心位置靠拢;当fi=fg时,表示处于中间位置永磁体结构的适应值较低,该永磁体结构需要去其他位置来提高适应值;

磁场仿真时,将FOV按照一定的步长沿Z轴方向进行切面,得到N1个切面;对每个切面上的两个中轴按相同步长采样,每条中轴上得到N2个磁感应强度Bi,任意一条中轴上的均匀度Pi计算公式如下:

其中Bc为切面中点的磁感应强度;通过公式(6)求出一个切面内两中轴的均匀度Pxi和Pyi,均匀度H1表达式如下:

计算每个切面均匀度Bh

其中,Bmax为切面内磁感应强度最大值,Bmin是切面内磁感应强度最小值;通过公式(8)对每个切面的Bh求解后,得到均匀度H2

结合公式(7)和(9),永磁体结构适应值的评估函数H如下:

H=(H1+H2)·(|G-2|+|G-3|) (10)

其中G是检测目标区域沿着Z轴的磁场梯度,在永磁体结构设计时为了保持G的大小为2~3T/m的低梯度,公式(10)中利用(|G-2|+|G-3|)来评估适应值。

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