[发明专利]一种硅基集成的高性能偏振分束器在审
| 申请号： | 202211155672.0 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115508947A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 吴文昊;吴新建;王晨晟;齐志强;付奥 | 申请（专利权）人： | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所） |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/125 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 张文静 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 性能 偏振 分束器 | ||
1.一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，包括设置在二氧化硅包层(1)内的输入波导(2)、耦合波导(3)和三个各向异性波导(4)，所述输入波导(2)、耦合波导(3)和各向异性波导(4)在同一平面内并排设置，三个所述各向异性波导(4)形成两条狭缝，所述输入波导(2)嵌入设置在其中一条狭缝中，所述耦合波导(3)嵌入设置在另一条狭缝中；
位于外侧的所述各向异性波导(4)用于限制入射光的倏逝场，使入射光沿输入波导(2)或耦合波导(3)传播；位于中间的所述各向异性波导(4)用于将入射光中的TM偏振光耦合到所述耦合波导(3)中；
所述输入波导(2)的输出端输出TE偏振光，所述耦合波导(3)的输出端输出TM偏振光。
2.根据权利要求1所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，还包括TE光输出波导(501)和TM光输出波导(502)，所述TE光输出波导(501)与输入波导(2)的输出端对接，所述TM光输出波导(502)与耦合波导(3)的输出端对接。
3.根据权利要求2所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述TE光输出波导(501)和/或TM光输出波导(502)为弧形，所述TE光输出波导(501)的输出端和TM光输出波导(502)的输出端趋于远离。
4.根据权利要求3所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述TE光输出波导(501)和/或TM光输出波导(502)的弯曲半径范围为15μm～25μm。
5.根据权利要求1所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，以垂直于所述输入波导(2)、耦合波导(3)和各向异性波导(4)所在平面的方向作为高度方向，所述输入波导(2)、耦合波导(3)和各向异性波导(4)的高度相等。
6.根据权利要求1所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，每个所述各向异性波导(4)包括多条并排、且等间距周期性设置的狭缝波导。
7.根据权利要求6所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述狭缝波导的占空比范围为0.4～0.6，所述占空比为单个周期内所述狭缝波导的尺寸占比。
8.根据权利要求1所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述输入波导(2)和耦合波导(3)垂直于光轴的截面尺寸相同。
9.根据权利要求2所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述输入波导(2)、耦合波导(3)、各向异性波导(4)、TE光输出波导(501)和TM光输出波导(502)的材料为硅。
10.根据权利要求1所述一种硅基集成的高性能偏振分束器，其特征在于，所述各向异性波导(4)沿光轴方向的长度范围为13μm～15μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所），未经华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211155672.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
